公开(公告)号：CN104051422B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201310277268.5

申请日：2013-07-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡纾婷 ,  林政贤 ,  庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: A61N1/3931 ,  A61N1/3987 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53257 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/14634 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80894 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。其中，一种半导体器件包括接合在第二芯片上的第一芯片。第一芯片包括第一衬底和在第一IMD层中形成的第一互连部件。第二芯片包括第二衬底和在第二IMD层中形成的第二互连部件。该器件还包括：第一导电插塞，其形成在第一衬底和第一IMD层内，其中，第一导电插塞连接至第一互连部件；以及第二导电插塞，第二导电插塞穿过第一衬底和第一IMD层并部分地穿过第二IMD层而形成，其中，第二导电插塞连接至第二互连部件。

公开(公告)号：CN107492538A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710431549.X

申请日：2017-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  姜泌圭 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L24/94 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/29 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/8012 ,  H01L2224/8082 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/0537 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/365 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L23/5386

Abstract: 本发明公开了一种晶片到晶片接合结构，该晶片到晶片接合结构包括：第一晶片，包括在第一绝缘层中的第一导电焊垫和围绕第一导电焊垫的下表面和侧表面的第一阻挡层；第二晶片，包括在第二绝缘层中的第二导电焊垫和围绕第二导电焊垫的下表面和侧表面的第二阻挡层，第二晶片在反转之后接合到第一晶片使得第二绝缘层接合到第一绝缘层并且第二导电焊垫的上表面的至少一部分部分地或完全地接合到第一导电焊垫的上表面的至少一部分；以及第三阻挡层，在第一晶片和第二晶片之间的在该处第一导电焊垫和第二导电焊垫未彼此接合的部分中。

公开(公告)号：CN104051329B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。

公开(公告)号：CN104037102B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201310226966.2

申请日：2013-06-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘丙寅 ,  黄信华 ,  黄志辉 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  卢彦池 ,  施俊吉 ,  蔡嘉雄

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了混合接合及执行混合接合的设备，其中一种方法包括执行混合接合以将第一封装元件与第二封装元件接合，以便形成接合对。在该接合对中，第一封装元件中的第一金属焊盘与第二封装元件中的第二金属焊盘接合，并且第一封装元件的表面处的第一表面介电层与第二封装元件的表面处的第二表面介电层接合。在混合接合之后，对该接合对执行热压缩退火。

公开(公告)号：CN103824867B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310573253.3

申请日：2013-11-15

Applicant: (株)赛丽康

Inventor： 全寅均

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L24/06 ,  H01L24/07 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L24/92 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08146 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/053 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及用于电连接晶圆的方法，该方法通过氧化物至氧化物接合方法物理地接合两个晶圆，并随后通过对接接触结构电连接这个两个晶圆。晶圆通过相对简单的方法彼此物理接合，并随后通过TSV或对接接触孔彼此电连接。因此，由于可以简化制造工艺，故可以减少工艺错误，并且可以改善产品产量。

公开(公告)号：CN106449676A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610797377.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 索尼公司

Inventor： 三桥生枝 ,  秋山健太郎 ,  菊地晃司

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明涉及半导体装置和电子设备。半导体装置包括：传感器基板，包括：第一半导体基板；第一配线层，形成在第一半导体基板的第一主面侧；绝缘材料层，形成在第一半导体基板的第二主面侧；连接导电层，形成在绝缘材料层上，其中连接导电层的上面侧包括凹部；第一膜，形成在连接导电层上且覆盖连接导电层的凹部的内表面；和第二膜，形成在第一膜上，其中第一膜和第二膜中的至少一部分在凹部内；和逻辑基板，包括：第二半导体基板；和第二配线层，形成在第二半导体基板的第一主面侧，其中，传感器基板和逻辑基板结合在一起以使第一配线层面对第二配线层，且连接导电层将第一配线层中的第一配线与第二配线层中的第二配线电连接。

公开(公告)号：CN105023917A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410848122.6

申请日：2014-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  陈明发 ,  叶松峯

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48 ,  H01L21/98 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/89 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0212 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8019 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据实施例，本发明提供了一种封装件，该封装件包括第一器件封装件以及设置在第一器件封装件上方的扇出型RDL。扇出型RDL延伸超过第一器件封装件的边缘。第一器件封装件包括具有设置在第一衬底上的第一再分布层(RDL)的第一管芯、具有设置在第二衬底上的第二RDL的第二管芯、位于第一管芯上方并且沿着第二管芯的侧壁延伸的隔离材料、以及导电通孔。第一RDL接合至第二RDL，并且第一管芯和第二管芯包括不同的横向尺寸。导电通孔的至少一部分从隔离材料的顶面延伸至与第一RDL中的第一导电元件接触。

公开(公告)号：CN104716086A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410575580.7

申请日：2014-10-24

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 川崎敦子

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/24 ,  H01L21/31144 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/034 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/08148 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/8009 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/80001

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法以及半导体装置。根据实施方式的半导体装置的制造方法，形成第一导电层以及第一绝缘层从表面露出的第一布线层，形成第二导电层以及第二绝缘层从表面露出的第二布线层，通过使所述第一绝缘层的表面中的、包括所述第一导电层的周围的一部分区域比所述第一导电层的表面低来在所述第一绝缘层的表面形成第一非接合面，将所述第一导电层的表面与所述第二导电层的表面连接，并且，将除了所述第一非接合面的所述第一绝缘层的表面与所述第二绝缘层的表面接合。

公开(公告)号：CN104576637A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410553385.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 匡训冲 ,  朱彦璋 ,  萧清泰 ,  刘丙寅 ,  赵兰璘 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄 ,  陈晓萌

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76805 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/562 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/10 ,  H01L24/18 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/80097 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了3D集成电路及其形成方法。一种集成电路结构包括封装组件，该封装组件进一步包括具有第一孔隙率的非多孔介电层和位于该非多孔介电层上方并与该非多孔介电层接触的多孔介电层，其中多孔介电层的第二孔隙率高于第一孔隙率。接合焊盘穿透非多孔介电层和多孔介电层。介电势垒层位于多孔介电层上方并与多孔介电层接触。通过介电势垒层而暴露接合焊盘。介电势垒层具有平坦顶面。接合焊盘的平坦顶面高于介电势垒层的底面。

公开(公告)号：CN104051329A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310410420.2

申请日：2013-09-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄俊杰 ,  杨敦年 ,  刘人诚 ,  洪丰基 ,  许慈轩 ,  蔡纾婷 ,  高敏峰

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/92 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 本发明公开了一种堆叠集成电路（IC）器件以及方法。堆叠IC器件包括第一半导体元件和接合在第一半导体元件上的第二半导体元件。第一半导体元件包括第一衬底、第一衬底中的公共导电部件、第一层间介电（ILD）层、第一互连部件，以及将第一互连部件连接至公共导电部件的导电插塞。第二半导体元件包括第二衬底、第二衬底上的第二ILD层以及第二ILD层中的第二互连部件。器件还包括导电深接塞，其与第一半导体元件中的公共导电部件和第二互连部件相连接。导电深插塞与导电插塞之间由所述第一ILD层分开。本发明还公开了用于堆叠器件的互连结构和方法。