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发明公开
半导体装置以及半导体装置的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119673877A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410174090.X

申请日：2024-02-07

Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 庄司骏辅

IPC: H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/56

Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部，具备第一主面以及所述第一主面的相反侧的第二主面；表面构造部，设置于所述第一主面，包含第一电极；第二电极，设置于所述第二主面；第一保护树脂膜，覆盖所述表面构造部的上表面；以及第二保护树脂膜，与所述第一保护树脂膜连接，覆盖所述表面构造部的侧面。

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