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公开(公告)号:CN103641770A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201310493078.7
申请日:2006-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2103/97 , C07C2603/94 , C07C2603/97 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明提供由通式1表示的螺芴衍生物。(在该通式中,R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。)
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公开(公告)号:CN102127422B
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201010609289.9
申请日:2006-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C09K11/06 , C07D209/86 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明目的是提供咔唑衍生物,该咔唑衍生物可用作制造具有耐重复氧化反应性的发光元件材料的原材料。该咔唑衍生物由以下通式(1)表示。在通式(1)中,R1表示选自以下基团中的任一个:含1-4个碳原子的烷基如甲基、乙基和叔丁基,和含1-12个碳原子的芳基如苯基、联苯、和萘基。
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公开(公告)号:CN101253150B
公开(公告)日:2012-06-06
申请号:CN200680032170.1
申请日:2006-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0071 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有优异的发光效率的新型材料,包含该新型材料的发光元件,以及使用该发光元件的发光装置。本发明提供了由以下通式(1)表示的蒽衍生物。
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公开(公告)号:CN101184732B
公开(公告)日:2012-05-16
申请号:CN200680018801.4
申请日:2006-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , C07D209/88 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L27/3244 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明一个目的是提供能实现优异蓝色色纯度的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。此外,本发明一个目的是提供高可靠的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。本发明解决上述问题的结构是结构式(1)表示的分子中同时具有二苯基蒽结构和咔唑骨架的蒽衍生物。
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公开(公告)号:CN101432259A
公开(公告)日:2009-05-13
申请号:CN200780015024.2
申请日:2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/57 , C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
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公开(公告)号:CN100422269C
公开(公告)日:2008-10-01
申请号:CN200480014783.3
申请日:2004-03-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 通过与金属原子螯合,可表现着色性、发光性、半导体性的功能的有机化合物(功能性螯合剂)104与金属氧化物基体103的金属原子侧面螯合配位,合成有机-无机混合材料。合成方法如下:制备含有金属醇盐和/或金属盐以及功能性螯合剂的溶胶(涂布组合物),通过溶胶-凝胶法合成。通过上述构成,可以合成具有与金属氧化物基体直接结合的有机基团,可表现单纯的金属氧化物所具有的功能的有机-无机混合材料。即,通过与金属氧化物基体直接结合的有机基团,可实现表现着色性或发光性或半导体性的功能性的有机-无机混合材料。
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公开(公告)号:CN101184732A
公开(公告)日:2008-05-21
申请号:CN200680018801.4
申请日:2006-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , C07D209/88 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L27/3244 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明一个目的是提供能实现优异蓝色色纯度的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。此外,本发明一个目的是提供高可靠的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。本发明解决上述问题的结构是结构式(1)表示的分子中同时具有二苯基蒽结构和咔唑骨架的蒽衍生物。
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公开(公告)号:CN102629666B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201210059430.1
申请日:2006-03-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/52 , H01L51/54 , C07D209/88 , C09K11/06
CPC classification number: H01L51/0058 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , H01L27/3244 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明一个目的是提供能实现优异蓝色色纯度的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。此外,本发明一个目的是提供高可靠的新型材料和采用所述新型材料的发光元件和发光装置。本发明解决上述问题的结构是结构式(1)表示的分子中同时具有二苯基蒽结构和咔唑骨架的蒽衍生物。
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公开(公告)号:CN104447503A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410529614.9
申请日:2006-09-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/94 , C07C2603/97 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1022 , C09K2211/1029 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/4908 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0096 , H01L51/5012 , H01L51/5048 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5203 , H01L51/5218 , H01L51/5221 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的是提供具有高Tg和宽能隙的材料。本发明提供由通式1表示的螺芴衍生物。(在该通式中,R1是氢、含1-4个碳原子的烷基或由通式2表示的基团中的任一种。R2和R3中的每一个是氢或含1-4个碳原子的烷基并且可以是相同或不同的。R4是含6-15个碳原子的芳基。R5和R6中的每一个是氢、含1-4个碳原子的烷基或含6-15个碳原子的芳基中的任一种并且可以是相同或不同的。)
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公开(公告)号:CN101124202B
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN200580048536.X
申请日:2005-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: C07D403/10 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5012 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供对反复氧化反应有抵抗性的发光物质。本发明的另一个目的是提供对反复还原反应有抵抗性的发光元件。本发明的一个方面是用通式(1)表示的蒽衍生物。在通式(1)中,R1表示氢或具有1-4个碳原子的烷基;R2表示氢、具有1-4个碳原子的烷基和具有6-12个碳原子的芳基中的任何一个,其可具有取代基或没有取代基;Ph1表示苯基,其可具有取代基或没有取代基;X1表示具有6-15个碳原子的亚芳基。
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