公开(公告)号：CN104733512A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410800319.2

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN111799335A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010730732.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。