公开(公告)号：CN101025508B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200710005806.X

申请日：2007-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 石谷哲二 ,  西毅 ,  惠木勇司

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/30

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2203/64

Abstract: 本发明的目的是提供具有高对比度的显示器件。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高性能的显示器件。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示器件中，在其外侧设置层叠为平行尼科耳状态的包含偏振器的层。此时，在一方层中层叠的偏振器的透过轴和在另一方层中层叠的偏振器的透过轴配置为具有偏离的正交尼科耳状态，并其中间夹持显示元件。另外，在层叠的偏振器和衬底之间可以具有相位差膜。

公开(公告)号：CN1991506B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200610156260.3

申请日：2006-12-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  石谷哲二 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/30 ,  G02B1/04 ,  G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2001/13356

Abstract: 本发明的目的在于提供对比度提高了的显示器件。本发明是一种设置有从平行尼科耳状态偏离地层叠的偏振片的显示器件。进一步而言，在该显示器件中，一对层叠的偏振片中的至少一方从平行尼科耳状态偏离。此外，该一对层叠的偏振片被配置为正交尼科耳状态。在偏振片和衬底之间可以设置相位差板。结果，可以提高对比度。

公开(公告)号：CN101013222A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006165.X

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  石谷哲二 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G09F9/35

CPC classification number: G02F1/133533 ,  G02F1/13363 ,  G02F2001/133531 ,  G02F2203/04 ,  G02F2203/64

Abstract: 本发明的目的是以简单的方法提供具有高对比度的显示器件。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高性能的显示器件。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示器件中，在其外侧层叠设置包含吸收轴的消光系数的波长分布彼此不同的偏振器的层。此时，可视一侧的层叠的偏振器被配置为偏离平行尼科耳状态。另外，在层叠的偏振器和衬底之间可以具有相位差板。

公开(公告)号：CN116097401A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180057321.3

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  井坂史人 ,  饭洼阳一 ,  惠木勇司 ,  神保安弘

IPC: H01L21/268

Abstract: 提供一种绝缘膜的改性方法。本发明包括如下步骤：准备包含氢的绝缘膜的第一工序；以及通过对绝缘膜进行微波处理，使氢脱离为水分子来降低绝缘膜中的氢含量的第二工序。微波处理在200℃以上且300℃以下的温度范围内使用氧气体及氩气体进行，在氧气流量及氩气流量的总和中氧气流量所占的比率优选大于0％且为50％以下。

公开(公告)号：CN102345115B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201110220485.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 田岛亮太 ,  田中哲弘 ,  大槻高志 ,  德丸亮 ,  惠木勇司 ,  加藤绘里香 ,  森久保都

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  C30B25/105 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648

Abstract: 本发明提供生产率较高地制作电特性良好的半导体装置的方法。利用第一条件形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种后，在晶种上利用第二条件以使晶种的混合相微粒生长来填埋混合相微粒的间隙的方式，在晶种上层叠形成微晶半导体膜。第一条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的50倍以上1000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为大于1333Pa且13332Pa以下。第二条件将氢的流量设定为含有硅或锗的沉积气体的流量的100倍以上2000倍以下来稀释沉积气体，并且将处理室内的压力设定为1333Pa以上13332Pa以下。

公开(公告)号：CN102007586B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980113810.5

申请日：2009-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  大力浩二 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  伊佐敏行

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696

Abstract: 所公开的是一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管在具有绝缘表面的衬底上包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；起沟道形成区域作用的半导体层；以及包含赋予一导电类型的杂质元素的半导体层。该半导体层以多个晶粒分散在非晶硅中且晶粒具有倒锥形或倒金字塔形的状态存在。晶粒沿半导体层沉积的方向大致放射状生长。倒锥形或倒金字塔形的晶粒的顶点远离栅极绝缘层与半导体层之间的界面。

公开(公告)号：CN101025509B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200710005809.3

申请日：2007-02-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  石谷哲二 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G02B5/30

CPC classification number: G02F1/133533 ,  G02F2001/133531

Abstract: 本发明的目的是提供具有高对比度的显示器件。此外，本发明的另一目的是以低成本制作这样具有高性能的显示器件。在一对透光衬底之间具有显示元件的显示器件中，在其外侧设置吸收轴的消光系数的波长分布彼此不同且层叠为平行尼科耳状态的包含偏振器的层。此时，一方的层叠的偏振器的透过轴和另一方的层叠的偏振器的透过轴配置为偏离正交尼科耳状态，并且其中间夹持显示元件。另外，在层叠的偏振器和衬底之间可以具有相位差板。

公开(公告)号：CN101034224A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200610163800.0

申请日：2006-12-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 惠木勇司 ,  石谷哲二 ,  西毅

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/133528 ,  G02F1/13363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/16 ,  G02F2413/02

Abstract: 存在的问题是，与非发光状态的发光元件的黑亮度相比，当在暗环境中观看时液晶显示装置中黑亮度较高，从而造成对比度低的结果。强烈要求提高对比度。因此，本发明的目的是提供一种具有提高的对比度和宽视角的液晶显示装置。在夹持显示元件的透光基板上设置延迟膜和层叠偏振片。可使用具有混合取向液晶的膜、具有扭曲取向液晶的膜、单轴延迟膜或双轴延迟膜作为延迟膜。优选层叠偏振片包括两个偏振片。

公开(公告)号：CN115989336A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202180052295.5

申请日：2021-08-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  国武宽司

IPC: C23C16/40

Abstract: 提供一种金属氧化物的沉积方法。本发明包括如下步骤：将第一前驱体引入到第一腔室中的第一工序；将第二前驱体引入到第一腔室中的第二工序；将第三前驱体引入到第一腔室中的第三工序；在第一工序后、第二工序后以及第三工序后都将等离子体状态的氧化剂引入到第一腔室中的第四工序；以及进行微波处理的第五工序。以进行第一至第四工序的每一个一次以上为一个循环，在多次反复一个循环之后在第二腔室中进行第五工序。第一至第三前驱体是种类互不相同的前驱体，微波处理使用氧气体及氩气体进行，金属氧化物具有结晶区域，结晶区域的c轴大致平行于金属氧化物的被形成面的法线向量或金属氧化物的表面的法线向量。

公开(公告)号：CN114868255A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202080090636.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  挂端哲弥 ,  神保安弘 ,  惠木勇司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种特性的不均匀小的半导体装置。半导体装置包括氧化物、氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体上的第一绝缘体、第二导电体上的第二绝缘体、第一绝缘体上及第二绝缘体上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第四绝缘体、在氧化物上且配置于第一导电体与第二导电体之间的第五绝缘体、第五绝缘体上的第六绝缘体、第六绝缘体上的第三导电体，第三导电体包括与氧化物重叠的区域，第五绝缘体包括与氧化物、第一导电体、第二导电体及第一绝缘体至第四绝缘体接触的区域，第五绝缘体包含氮、氧及硅。