公开(公告)号：CN102683386A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210058573.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤瞳 ,  斋藤隆行 ,  野田耕生 ,  高山徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102683386B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201210058573.0

申请日：2012-02-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤瞳 ,  斋藤隆行 ,  野田耕生 ,  高山徹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。