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公开(公告)号：CN1855631A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074870.9
申请日：2006-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 田所麻美
CPC classification number: H01R12/79 , H01R12/675
Abstract: 本发明旨在提供一种可以不通过焊接来电连接印刷衬底和扁平电缆的连接器。本发明的技术方案的要点是：配置在第一外壳中的复数个第一连接端子设有穿破扁平电缆的绝缘覆盖物而夹住并压接预定的导体的部分；第一连接端子穿过形成在盖子上的孔；第一连接端子接触印刷衬底的导通部，并电连接于该导通部。印刷衬底设有布线图形，该布线图形的一端连接于PCI卡边缘连接器而另一端连接于通孔，因此，PCI卡边缘连接器和扁平电缆的导通部通过第一连接端子电连接。
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公开(公告)号：CN102187454B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980141548.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/04 , H01L29/861 , H04B5/02
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L21/8222
Abstract: 一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值，以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。然后，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。
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公开(公告)号：CN102117837A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010624629.5
申请日：2010-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100576634C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610074870.9
申请日：2006-04-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 田所麻美
CPC classification number: H01R12/79 , H01R12/675
Abstract: 本发明旨在提供一种可以不通过焊接来电连接印刷衬底和扁平电缆的连接器。本发明的技术方案的要点是：配置在第一外壳中的复数个第一连接端子设有穿破扁平电缆的绝缘覆盖物而夹住并压接预定的导体的部分；第一连接端子穿过形成在盖子上的孔；第一连接端子接触印刷衬底的导通部，并电连接于该导通部。印刷衬底设有布线图形，该布线图形的一端连接于PCI卡边缘连接器而另一端连接于与通孔，因此，PCI卡边缘连接器和扁平电缆的导通部通过第一连接端子电连接。
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公开(公告)号：CN102117837B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010624629.5
申请日：2010-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/04
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78669 , H01L29/78678
Abstract: 提供一种具有有利电特性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：栅电极；栅绝缘层；半导体层，它包括微晶半导体区和非晶半导体区；杂质半导体层；布线；第一氧化区，设置在微晶半导体区与布线之间；以及第二氧化区，设置在非晶半导体区与布线之间，其中，在从所述布线中包含的元素的分布与所述半导体层中包含的元素的分布的相交处的所述半导体层侧，与所述第一氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m1)相切的直线和与所述第二氧化区中的氧分布的最高倾斜度(m2)相切的直线满足关系式1＜m1/m2＜10。
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公开(公告)号：CN101165712B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200710181194.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H02J17/00 , H02H9/02
CPC classification number: H02H9/02 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , Y10T307/858
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的目的是提供：即使在无线通讯系统中通讯距离极短，诸如读取写入器与RF标签相接触时等，也可以正常工作且具有高可靠性的RF标签。以无线通讯进行数据交换的RF标签包括：对从外部供应的电力与基准电力进行比较的比较电路；当在比较电路中从外部供应的电力高于基准电力时工作的保护电路部。
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公开(公告)号：CN102187454A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200980141548.5
申请日：2009-09-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L27/04 , H01L29/861 , H04B5/02
CPC classification number: H01L27/0814 , H01L21/8222
Abstract: 一结构能够在元件形成之后改变元件的特性值，以便防止制造成本增加和产品交货延迟。多个二极管串联连接。然后，通过布线使多个二极管的一部分短路。具体而言，二极管和布线并联连接，由此电流优先流入布线中，使得二极管可被认为是不存在的。然后，在一部分布线处切割布线，由此使在切割前并联连接至布线的二极管工作。
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公开(公告)号：CN101165712A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710181194.X
申请日：2007-10-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H02J17/00 , H02H9/02
CPC classification number: H02H9/02 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , H01Q1/2208 , H01Q1/2283 , Y10T307/858
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。本发明的目的是提供：即使在无线通讯系统中通讯距离极短，诸如读取写入器与RF标签相接触时等，也可以正常工作且具有高可靠性的RF标签。以无线通讯进行数据交换的RF标签包括：对从外部供应的电力与基准电力进行比较的比较电路；当在比较电路中从外部供应的电力高于基准电力时工作的保护电路部。
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