公开(公告)号：CN107886916A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711020286.X

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  丰高耕平

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3614 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/16 ,  H01L27/1225

Abstract: 公开了一种液晶显示装置及其驱动方法，用于显示图像，其中在相继的第一帧周期和第二帧周期中反转施加到液晶元件的电压的极性。在作为比较第一帧周期的图像和第二帧周期的图像的结果判定第一帧周期和第二帧周期的图像为静止图像，并且第一帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值与第二帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值不同时，补偿施加到液晶元件的电压。

公开(公告)号：CN102640207A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201080053869.2

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  丰高耕平

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3696 ,  G09G3/3614 ,  G09G2320/0247 ,  G09G2320/103 ,  G09G2330/021 ,  G09G2340/16 ,  H01L27/1225

Abstract: 公开了一种液晶显示装置及其驱动方法，用于显示图像，其中在相继的第一帧周期和第二帧周期中反转施加到液晶元件的电压的极性。在作为比较第一帧周期的图像和第二帧周期的图像的结果判定第一帧周期和第二帧周期的图像为静止图像，并且第一帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值与第二帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值不同时，补偿施加到液晶元件的电压。

公开(公告)号：CN107886916B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201711020286.X

申请日：2010-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  丰高耕平

IPC: G09G3/36

Abstract: 公开了一种液晶显示装置及其驱动方法，用于显示图像，其中在相继的第一帧周期和第二帧周期中反转施加到液晶元件的电压的极性。在作为比较第一帧周期的图像和第二帧周期的图像的结果判定第一帧周期和第二帧周期的图像为静止图像，并且第一帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值与第二帧周期中施加到液晶元件的电压的绝对值不同时，补偿施加到液晶元件的电压。

公开(公告)号：CN112385020A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980026751.1

申请日：2019-04-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  笹川慎也 ,  高桥绘里香 ,  栃林克明 ,  荒泽亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种特性波动、元件劣化、形状异常得到抑制的半导体装置。该半导体装置包括含有多个元件的第一区域、含有多个伪元件的第二区域，第二区域设置在第一区域的边缘部，并且元件和伪元件都包含氧化物半导体。元件和伪元件具有同一结构，元件所含有的结构体和伪元件所含有的结构体由同一材料构成并配置在同一层中。此外，氧化物半导体包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。

公开(公告)号：CN105702688B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201610231150.2

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G09G3/36

Abstract: 提供了一种在包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素中可以提高开口率的液晶显示器件。在该液晶显示器件中，薄膜晶体管包括：栅电极、与栅电极重叠地设置的栅极绝缘层及氧化物半导体层以及与氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，其中薄膜晶体管设置在设置于像素部中的信号线和像素电极之间。薄膜晶体管的截止电流小于或等于1×10‑13A。电位可以只使用液晶电容器保持而不设置与液晶元件并联的电容器，并且在像素部不形成与像素电极连接的电容器。

公开(公告)号：CN102549638A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080045810.9

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1225 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种发光显示器件，其中包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素具有高开口率。该发光显示器件包括分别具有薄膜晶体管(107A)以及发光元件(105)的多个像素(100)。像素(100)电连接到用作扫描线的第一布线(101A)。薄膜晶体管(107A)包括在第一布线(101A)上隔着栅极绝缘膜(113)设置的氧化物半导体层(103A)。该氧化物半导体层(103A)延伸超出设置有第一布线(101A)的区域的边缘。发光元件(105)和氧化物半导体层(103A)彼此重叠。

公开(公告)号：CN102598280B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201080049068.9

申请日：2010-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/78609 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种在包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管的像素中可以提高开口率的液晶显示器件。在该液晶显示器件中，薄膜晶体管包括：栅电极、与栅电极重叠地设置的栅极绝缘层及氧化物半导体层以及与氧化物半导体层的一部分重叠的源电极及漏电极，其中薄膜晶体管设置在设置于像素部中的信号线和像素电极之间。薄膜晶体管的截止电流小于或等于1×10-13A。电位可以只使用液晶电容器保持而不设置与液晶元件并联的电容器，并且在像素部不形成与像素电极连接的电容器。

公开(公告)号：CN102576174A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080046493.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0447 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 本发明目的之一是提供一种可以具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。所述液晶显示装置包括多个各具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的边缘的方式设置。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。

公开(公告)号：CN101013695B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710006161.1

申请日：2007-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  岩渊友幸

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L27/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置本发明的目的在于可以通过测量TEG的电特性管理由蒸发沉积工序导致的半导体装置内的元件的电特性的变化。本发明的技术要点如下：在有源矩阵型EL面板的衬底100中提供有使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101，并在所述蒸发沉积区域101中提供有像素区域102。TEG109设置在使用蒸发沉积法形成膜的蒸发沉积区域101内的像素区域102的外侧。用来测量TEG109的测量用端子部110设置在密封区域103外部。

公开(公告)号：CN102576174B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201080046493.2

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒泽亮 ,  宍户英明

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2201/40 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0447 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

Abstract: 目的之一是提供一种可以具有高的开口率的液晶显示装置，其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜晶体管。所述液晶显示装置包括多个各具有薄膜晶体管及像素电极的像素。该像素与用作扫描线的第一布线电连接。该薄膜晶体管具有在第一布线上隔着栅极绝缘膜设置的氧化物半导体层。该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的边缘的方式设置。像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。