公开(公告)号：CN101977971A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980110162.8

申请日：2009-01-19

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 山根和行 ,  斋藤武 ,  穗刈有希

IPC: C08J7/00

CPC classification number: C08J7/123 ,  C08J2367/04 ,  Y10T428/24479

Abstract: 本发明提供一种聚合物成型体的制造方法，包括以下工序：在真空度为50mTorr以下、输出功率为1～6W且电流为3mA以下的条件下对含有聚乙醇酸的聚合物结构体进行干蚀刻，由此在上述聚合物结构体上形成凹部。

公开(公告)号：CN101868494A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117181.9

申请日：2008-10-15

Applicant: 株式会社吴羽

Inventor： 山根和行 ,  穗苅有希 ,  小野利彦 ,  斋藤武

IPC: C08J9/00

CPC classification number: B01D67/0034 ,  B01D67/0023 ,  B01D71/48 ,  B01D2323/42 ,  B29C67/20 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明提供多孔性聚合物成型物的制造方法，包括以下工序：将形成有多个开口的第1掩模、和形成有多个开口且平均开口直径大于第1掩模的平均开口直径的第2掩模叠层在聚合物成型物上的工序，以及通过从第2掩模侧进行干蚀刻而在聚合物成型物上形成贯通孔的工序。