公开(公告)号：CN106206366A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610348854.8

申请日：2016-05-24

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦 ,  伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67115 ,  F27B17/0025 ,  F27D11/12 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，能够通过简单的结构使光照射时的基板面内的温度分布均匀。在基座(74)的上表面竖立设置有用于对半导体晶片(W)进行支撑的支撑销(75)。隔着基座(74)在基座(74)的与支撑销(75)相反一侧的下表面设置有聚光透镜(73)。聚光透镜(73)设置为光轴与支撑销(75)的中心轴相一致。从下方的卤素灯出射的光中的向聚光透镜(73)入射的光被会聚到支撑销(75)和半导体晶片(W)的接触部位，使该接触部位附近升温。通过对容易产生温度下降的半导体晶片(W)的与支撑销(75)的接触部位附近相对强地进行加热来抑制温度下降，从而能够使光照射时的半导体晶片(W)的面内温度分布均匀。

公开(公告)号：CN106206366B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610348854.8

申请日：2016-05-24

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 布施和彦 ,  伊藤祯朗

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，能够通过简单的结构使光照射时的基板面内的温度分布均匀。在基座(74)的上表面竖立设置有用于对半导体晶片(W)进行支撑的支撑销(75)。隔着基座(74)在基座(74)的与支撑销(75)相反一侧的下表面设置有聚光透镜(73)。聚光透镜(73)设置为光轴与支撑销(75)的中心轴相一致。从下方的卤素灯出射的光中的向聚光透镜(73)入射的光被会聚到支撑销(75)和半导体晶片(W)的接触部位，使该接触部位附近升温。通过对容易产生温度下降的半导体晶片(W)的与支撑销(75)的接触部位附近相对强地进行加热来抑制温度下降，从而能够使光照射时的半导体晶片(W)的面内温度分布均匀。