公开(公告)号：CN106340474A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610528458.3

申请日：2016-07-06

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 谷村英昭 ,  松尾郁 ,  布施和彦 ,  加藤慎一

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/2253 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H05B3/0047 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明提供一种能够降低腔室内的污染的热处理装置以及热处理方法。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。通过加热器(22)加热从气体供给源外，通过流量调整阀(21)增加向腔室(6)内供给的处理气体的流量。通过向腔室(6)内大流量地供给高温的处理气体来形成其气流，能够将在加热处理时从半导体晶片(W)的膜扩散的污染物向腔室(6)外排出，从而降低腔室(6)内的污染。(85)供给的处理气体，然后向腔室(6)内供给。另