公开(公告)号：CN105448662A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510599007.4

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 藤原直澄 ,  江户彻 ,  菅原雄二 ,  阿野诚士 ,  泽岛隼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B08B1/04 ,  B08B3/02 ,  B08B3/024 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明涉及抑制产生处理残留物和产生液体飞溅的基板处理装置及其方法。该装置具有基板的旋转保持部、沿着大致铅垂方向喷射处理液的液滴的喷流的第一喷嘴、喷出处理液的连续流的第二喷嘴、使第一喷嘴和第二喷嘴一体移动的喷嘴移动部。当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置更靠旋转中心侧。而且，液滴的喷流的着落位置和连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或连续流和液滴的喷流这两者的流向不同。这两者的移动路径不同是因当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠旋转方向的下游侧。这两者的流向不同是因连续流相对于铅垂方向倾斜。

公开(公告)号：CN105448662B

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201510599007.4

申请日：2015-09-18

Applicant: 株式会社思可林集团

Inventor： 藤原直澄 ,  江户彻 ,  菅原雄二 ,  阿野诚士 ,  泽岛隼

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及抑制产生处理残留物和产生液体飞溅的基板处理装置及其方法。该装置具有基板的旋转保持部、沿着大致铅垂方向喷射处理液的液滴的喷流的第一喷嘴、喷出处理液的连续流的第二喷嘴、使第一喷嘴和第二喷嘴一体移动的喷嘴移动部。当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置更靠旋转中心侧。而且，液滴的喷流的着落位置和连续流的着落位置这两者的移动路径不同，和/或连续流和液滴的喷流这两者的流向不同。这两者的移动路径不同是因当第一喷嘴位于基板的周缘部的上方时，连续流的着落位置比液滴的喷流的着落位置的移动路径更靠旋转方向的下游侧。这两者的流向不同是因连续流相对于铅垂方向倾斜。