公开(公告)号：CN103081065B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180041647.3

申请日：2011-08-02

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 佐藤亮介 ,  草间秀晃 ,  富樫陵太郎 ,  井崎博大

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明能利用激光退火将半导体膜均匀地结晶化。包括输出脉冲激光的脉冲激光振荡装置、和将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜的光传输单元，将所述脉冲激光照射于半导体膜，使得在半导体膜照射面，由有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）这一公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，因此，能使半导体膜结晶化而不引起由完全熔融所产生的异常晶粒生长，可得到偏差较小的均匀结晶。

公开(公告)号：CN102099895B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201080002151.0

申请日：2010-02-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 富樫陵太郎 ,  佐藤亮介 ,  清野俊明 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶膜的制造方法及结晶膜制造装置，以1～10次的照射次数，向非晶膜照射由340～358nm的波长所形成的、具有130～240mJ/cm2的能量密度的脉冲激光，将所述非晶膜加热至不超过结晶熔点的温度使其晶化，作为优选，将脉冲激光的脉宽设为5～100ns，将频率设为6～10kHz，将短轴宽度设为1.0mm以下，使该脉冲激光相对地以50～1000mm/秒的扫描速度进行扫描，从而能高效地由非晶膜制作晶粒直径的偏差较小的、均匀而细微的结晶膜而不对基板造成损坏。

公开(公告)号：CN102067285A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201080001857.5

申请日：2010-04-26

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 富樫陵太郎 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃 ,  河上徹太郎

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02683 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明在使非晶膜进行晶化时，可以均匀高效地制作细微的结晶。向位于基板(6)的上层的非晶膜(非晶硅膜(6a))照射510～540nm的可见波长范围的连续振荡激光(1a)，将所述非晶膜加热至不超过熔点的温度，使该非晶膜进行晶化。连续振荡激光优选功率密度为55～290kW/cm2、短轴宽度为100μm以下，进一步优选将连续振荡激光相对地以扫描速度50～1000mm/秒进行扫描。可以从非晶膜高效地制作晶粒直径的偏差较小的细微的结晶膜而不使基板损坏。

公开(公告)号：CN102959685B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201280001616.X

申请日：2012-04-27

Applicant: 昭和光电株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 矢幡祯也 ,  相田善明 ,  富樫陵太郎 ,  佐藤亮介 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃

IPC: B23K26/06 ,  B23K26/064 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  G02B6/00

Abstract: 本发明提供一种纤维传送激光光学系统(1)，其包括：第一光纤(3)，其传送从激光振荡器(2)输出的激光；准直透镜(4)，其校准从第一光纤(3)射出的激光；球面阵列透镜(5)，其利用多个单元(5a)把从准直透镜(4)射出的激光会聚成多点光点；多个第二光纤(6)，其具有比第一光纤(3)小的芯径，使由球面阵列透镜(5)会聚成多点光点的各激光入射，且使射出端(6b)的轴线相互平行而排列成直线状的一列；以及光学系统(7～11)，其把从多个第二光纤(6)射出的激光形成为在照射面(12)上构成直线状的激光。即使传送来自激光振荡器的激光的光纤具有较大的芯径，也能形成短边方向的尺寸较小的线状光束。

公开(公告)号：CN102959685A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201280001616.X

申请日：2012-04-27

Applicant: 昭和光电株式会社 ,  株式会社日本制钢所

Inventor： 矢幡祯也 ,  相田善明 ,  富樫陵太郎 ,  佐藤亮介 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃

IPC: H01L21/268 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种纤维传送激光光学系统(1)，其包括：第一光纤(3)，其传送从激光振荡器(2)输出的激光；准直透镜(4)，其校准从第一光纤(3)射出的激光；球面阵列透镜(5)，其利用多个单元(5a)把从准直透镜(4)射出的激光会聚成多点光点；多个第二光纤(6)，其具有比第一光纤(3)小的芯径，使由球面阵列透镜(5)会聚成多点光点的各激光入射，且使射出端(6b)的轴线相互平行而排列成直线状的一列；以及光学系统(7～11)，其把从多个第二光纤(6)射出的激光形成为在照射面(12)上构成直线状的激光。即使传送来自激光振荡器的激光的光纤具有较大的芯径，也能形成短边方向的尺寸较小的线状光束。

公开(公告)号：CN103081065A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041647.3

申请日：2011-08-02

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 佐藤亮介 ,  草间秀晃 ,  富樫陵太郎 ,  井崎博大

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0676 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明能利用激光退火将半导体膜均匀地结晶化。包括输出脉冲激光的脉冲激光振荡装置、和将从该脉冲激光振荡装置输出的所述脉冲激光进行传输并照射于半导体膜的光传输单元，将所述脉冲激光照射于半导体膜，使得在半导体膜照射面，由有效功率密度（J/(秒·cm3)）＝脉冲能量密度（J/cm2）/脉冲宽度（秒）×半导体膜的吸收系数（cm－1）这一公式计算出的有效功率密度在3×1012至1.5×1012的范围内，因此，能使半导体膜结晶化而不引起由完全熔融所产生的异常晶粒生长，可得到偏差较小的均匀结晶。

公开(公告)号：CN102099895A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201080002151.0

申请日：2010-02-25

Applicant: 株式会社日本制钢所

Inventor： 富樫陵太郎 ,  佐藤亮介 ,  清野俊明 ,  井波俊夫 ,  草间秀晃

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02532 ,  B23K26/0732 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种结晶膜的制造方法及结晶膜制造装置，以1～10次的照射次数，向非晶膜照射由340～358nm的波长所形成的、具有130～240mJ/cm2的能量密度的脉冲激光，将所述非晶膜加热至不超过结晶熔点的温度使其晶化，作为优选，将脉冲激光的脉宽设为5～100ns，将频率设为6～10kHz，将短轴宽度设为1.0mm以下，使该脉冲激光相对地以50～1000mm/秒的扫描速度进行扫描，从而能高效地由非晶膜制作晶粒直径的偏差较小的、均匀而细微的结晶膜而不对基板造成损坏。