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公开(公告)号：CN101335177A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810109182.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J49/4225 , G01N27/622
Abstract: 本发明提供一种离子阱、质量分析计、离子迁移率分析计，其课题在于提供一种小型、廉价、简便的质量分析单元，其能够应用可以实现无需在以往的质量分析方法中必须的高真空的低真空中的动作、小型且电极个数少并且形状易于加工、进而无需电子倍增管等放大的检测离子电流的离子检测方法。在该真空区域中以往使用离子迁移率分析单元，但通过本方式可以提供新的质量分析手段，可以针对各种应用显著地提高分析精度。使用在本发明中公开的一维离子阱。基于一维离子阱的质量分析单元可以囚禁大量的离子，可以提供能够在低真空中动作的质量分析方式，所以可以实现不使用高真空的质量分析单元。
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公开(公告)号：CN110935108A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910441112.3
申请日：2019-05-24
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明提供提高了扩充性的粒子束治疗系统。粒子束治疗系统(1)具备：具有第一楼层(51)和第二楼层(53S、53V)的建筑物；设于第一楼层并产生粒子束的粒子束产生装置(2)；用于从粒子束产生装置向第一治疗室内的第一照射装置输送粒子束的第一输送系统(3(1))；以及从第一输送系统分支并用于经由第二楼层向第二治疗室的第二照射装置输送粒子束的第二输送系统(3(2))，第二输送系统具有使粒子束向与粒子束产生装置的设置面不同的第二楼层的方向偏转的第一偏转电磁铁(32(2))，建筑物(5)具有屏蔽第一楼层与第二楼层的屏蔽壁(55)，在相对于粒子束的前进方向比第一偏转电磁铁靠后方的位置贯通屏蔽壁地设置第二输送系统。
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公开(公告)号：CN101335177B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810109182.0
申请日：2008-05-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01J49/4225 , G01N27/622
Abstract: 本发明提供一种离子阱、质量分析计、离子迁移率分析计，其课题在于提供一种小型、廉价、简便的质量分析单元，其能够应用可以实现无需在以往的质量分析方法中必须的高真空的低真空中的动作、小型且电极个数少并且形状易于加工、进而无需电子倍增管等放大的检测离子电流的离子检测方法。在该真空区域中以往使用离子迁移率分析单元，但通过本方式可以提供新的质量分析手段，可以针对各种应用显著地提高分析精度。使用在本发明中公开的一维离子阱。基于一维离子阱的质量分析单元可以囚禁大量的离子，可以提供能够在低真空中动作的质量分析方式，所以可以实现不使用高真空的质量分析单元。
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