公开(公告)号：CN1234455A

公开(公告)日：1999-11-10

申请号：CN99104158.5

申请日：1999-03-18

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 加藤智也 ,  尾花健 ,  庄司三良 ,  藤井和美 ,  大桥健也

IPC: C25D11/30

CPC classification number: F04D29/023 ,  A47L5/22 ,  C23C22/40 ,  C23C22/42 ,  C23C22/44 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/125 ,  F05D2300/17 ,  F05D2300/512 ,  F05D2300/611 ,  Y10T428/3154 ,  Y10T428/31544

Abstract: 通过使用耐腐蚀镀层的化学转化处理溶液可以制成镀有对环境无害的耐腐蚀镀层的镁合金构件,上述的化学转化处理溶液含有0.05—1M选自钼、钨和钒的重金属的含氧酸化合物,且用硫酸或硝酸将该溶液的pH调节到2—6。其制造方法是使较好含2—10%铝的镁合金表面与上述溶液接触,形成特殊的氧化膜,如有必要可在该氧化膜上再形成含氟有机膜。制成的镁合金构件可用于电动鼓风机、笔记本个人计算机、各种家用电器等。

公开(公告)号：CN1177374C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上，用W浓度为重量5%以上不到25%，更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。

公开(公告)号：CN1374705A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。