公开(公告)号：CN1374705A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上,用W浓度为重量5%以上不到25%,更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo－W合金制作栅极,用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。

公开(公告)号：CN1177374C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01125878.0

申请日：2001-08-30

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 佐藤健史 ,  高桥卓也 ,  加藤智也 ,  金子寿辉 ,  池田一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 在有自对准LDD的多晶硅薄膜晶体管基片上，用W浓度为重量5%以上不到25%，更希望用W浓度为重量17%到22%的Mo-W合金制作栅极，用包括磷酸浓度为重量60%到70%的刻蚀溶液的湿刻蚀工序的方法制作的薄膜晶体管基片有均匀的特性并有优越的生产性。