公开(公告)号：CN1041581C

公开(公告)日：1999-01-06

申请号：CN94101411.8

申请日：1994-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  堀口真志 ,  中込仪延 ,  堀陵一 ,  松本哲郎 ,  久保征治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F11/006 ,  G11C7/1045

Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。

公开(公告)号：CN1047249C

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1112716A

公开(公告)日：1995-11-29

申请号：CN94119568.6

申请日：1994-12-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 竹内干 ,  堀口真志 ,  青木正和 ,  松野胜己 ,  阪田健 ,  卫藤润

IPC: G11C11/22

Abstract: 涉及使用用铁电体的半导体存储器，特别是可以得到不存在由于极化反转疲劳引起速度降低并且可以进行和DRAM进行相同的处理的非易失性存储器。在具有多个至少由1个晶体管和1个铁电体电容器构成的存储单元的存储器中，通常，作为易失性存储器即DRAM进行读出和写入。另一方面，仅在电源接通时，检测铁电体电容器的极化方向，进行变换为电容器的节点电位的动作。

公开(公告)号：CN1093201A

公开(公告)日：1994-10-05

申请号：CN94101411.8

申请日：1994-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  堀口真志 ,  中込仪延 ,  堀陵一 ,  松本哲郎 ,  久保征治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F11/006 ,  G11C7/1045

Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导体存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。