公开(公告)号：CN1093201A

公开(公告)日：1994-10-05

申请号：CN94101411.8

申请日：1994-02-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 梶谷一彦 ,  堀口真志 ,  中込仪延 ,  堀陵一 ,  松本哲郎 ,  久保征治

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/34

CPC classification number: G11C29/44 ,  G06F11/006 ,  G11C7/1045

Abstract: 将一个设有按照存入非易失存储元件中的信息，来选择存储器功能的功能选择电路的半导体芯片密封在封装内，而且通过在上述状态或半导体芯片被安装在印刷板的状态下写入非易失存储器元件，最后设置存储器功能。通过根据上述过程来设置半导体存储器类型，从圆片工艺到组装步骤的过程都能变得相同，因此，可便于批量生产和生产控制。可在短期内提供具有符合用户技术规格的存储器功能的半导体存储器。

公开(公告)号：CN1112732C

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN97110214.7

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1398002A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN02122083.2

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  陈田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1101755A

公开(公告)日：1995-04-19

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1104695C

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN95104392.7

申请日：1995-04-10

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 渡部隆夫 ,  中込仪延 ,  石仓和夫 ,  中川哲也 ,  木内淳

IPC: G06F17/16 ,  G06T1/00

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G06F17/10 ,  G06F17/15 ,  G06K9/4642

Abstract: 能以高并行度高速进行使用了二维数据运算处理的半导体集成电路，该集成电路具有二维存储阵列(MAR)、通过选择二维存储阵列的字线经数据线并行传送数据的并行数据传送电路(TRC)，用从TRC传送的数据并行进行运算处理的运算电路群(PE)，各运算电路能通过TRC存取上述二维存储阵列中连续的多条字线和数据线，多个相邻的运算电路具有重迭的二维存储阵列的数据线范围，故能对存储在二维存储阵列中的二维数据并行地进行卷积等运算。

公开(公告)号：CN1095123C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95119759.2

申请日：1995-11-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 鲇川一重 ,  渡部隆夫 ,  中込仪延

IPC: G06F13/00

CPC classification number: G11C7/1006 ,  G11C7/10 ,  G11C8/16

Abstract: 集成于一块半导体芯片上的半导体装置，它包括一个存储单元阵列，多个运算电路和多个数据传送电路。该数据传送电路通过分别给出的读出路径和写入路径在运算电路和存储单元之间传送数据。分别通过读出路径和写入路径，能够在同一时间内分时地从存储单元向运算电路和从运算电路向存储单元传送数据，使得可以更快地完成图象数据处理，而且可以在一旦激活了的字线上连续地处理数据，以此来减少每一个字线的驱动次数，减少功耗。

公开(公告)号：CN1052344C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN94109104.X

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1173043A

公开(公告)日：1998-02-11

申请号：CN97110214.7

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件,它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据,还涉及利用其的存储器件。栅极—沟道电容被设定得如此地小,以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变,就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1204627C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02122083.2

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极—沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。

公开(公告)号：CN1086842C

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN97110215.5

申请日：1994-08-19

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 矢野和男 ,  石井智之 ,  桥本孝司 ,  关浩一 ,  青木正和 ,  阪田健 ,  中込仪延 ,  竹内干

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/772

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11C11/22 ,  G11C11/404 ,  G11C16/02 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/10 ,  G11C16/28 ,  G11C2216/06 ,  G11C2216/08 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7888

Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据，及利用其的数据处理设备。栅极-沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。