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公开(公告)号：CN101257320B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810001350.4
申请日：2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H04W52/287 , H04W52/0235 , Y02D70/142
Abstract: 本发明提供一种无线终端装置和网络系统，该无线终端装置包括：电源装置；进行无线通信的无线装置；传感器；进行用传感器计测的传感数据的处理的运算装置；和控制从电源装置向无线装置、传感器和运算装置的电源供给的起动控制电路，起动控制电路开始从电源装置向无线装置、传感器和运算装置的电源供给，实施由传感器进行的计测、由运算装置进行的处理以及由无线装置进行的处理后的传感数据向基站的发送，起动控制电路从电源装置供给稳定电源，在无线装置接收到第1信号和第2信号时，切断向起动控制电路以外的电源供给，基站接收传感数据的发送而发送第1信号和第2信号，第1信号表示传感数据被基站接收，第2信号表示针对无线终端装置的命令。
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公开(公告)号：CN1329989C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN98812671.0
申请日：1998-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/00 , H03K19/094
CPC classification number: H03K19/1731 , G06F17/505 , H03K19/0013
Abstract: 一种半导体集成电路器件包含MOSFET。运行速度与MOSFET的漏电流引起的功耗被适当地协调。沿半导体集成电路器件中的信号路径中的具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径，提供了具有高的阈值电压的MOSFET，而沿不具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径，提供了具有低的阈值电压、大的漏电流和高的运行速度的MOSFET。
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公开(公告)号：CN1294783A
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN98812671.0
申请日：1998-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K19/094
CPC classification number: H03K19/1731 , G06F17/505 , H03K19/0013
Abstract: 一种半导体集成电路器件包含MOSFET。运行速度与MOSFET的漏电流引起的功耗被适当地协调。沿半导体集成电路器件中的信号路径中的具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径,提供了具有高的阈值电压的MOSFET,而沿不具有经由此路径传播的信号的延迟裕度的信号路径,提供了具有低的阈值电压、大的漏电流和高的运行速度的MOSFET。
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公开(公告)号：CN110033113B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201811530463.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 矢野和男
Abstract: 一种信息处理系统及信息处理系统的学习方法。在以往的机器学习中，关于数据较少的事件，存在预测精度降低的问题。在本发明的优选的一个方式中，在输入原始数据并输出预测结果的信息处理系统中，根据原始数据至少生成第1数据和第2数据。使用第1数据进行预测的第1预测式具有至少一个参数，具有使用第1预测式的第1预测结果来调整该参数的第1学习器。使用第2数据进行预测的第2预测式具有至少一个参数，具有使用第2预测式的第2预测结果来调整该参数的第2学习器。并且，在由第1学习器调整的参数和由第2学习器调整的参数中具有至少一个共同的参数。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN102693214B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210020002.8
申请日：2012-01-21
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G06F17/00
CPC classification number: G06Q10/063
Abstract: 本发明提供传感器信息处理分析系统以及分析服务器。将传感器数据发送来的定时不恒定，所以有时无法通过定期的批处理正确地进行分析。为了提高内容的精度需要反映未处理的数据，但是通过再次执行批处理还对过去已处理过的数据进行处理，所以无用的处理多。谋求兼顾数据的分析处理量降低和内容精度提高。预先决定了在预定时间内从发送检测到的数据的传感器终端发送的希望数据数。分析服务器根据希望数据数和在预定时间内实际从多个传感器终端接收到的有效数据数，求出在批处理中使用的数据的取得率。在每单位时间的数据的取得率变动时，使用来自传感器终端的数据进行相应批处理。
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公开(公告)号：CN101060325B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710112120.0
申请日：1998-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H03K19/173 , H03K19/00 , G06F17/50
CPC classification number: H03K19/1731 , G06F17/505 , H03K19/0013
Abstract: 一种存储有至少记录着单元的逻辑功能、形状、延迟特性、功耗的单元信息库的存储媒质，其中，所述单元信息库包括具有相同的逻辑功能和相同的形状而延迟和功耗不同的第1单元和第2单元。
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公开(公告)号：CN1052344C
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN94109104.X
申请日：1994-08-19
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C11/22 , G11C11/404 , G11C16/02 , G11C16/0466 , G11C16/10 , G11C16/28 , G11C2216/06 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L21/8221 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L27/11551 , H01L27/1203 , H01L29/42328 , H01L29/513 , H01L29/66825 , H01L29/7613 , H01L29/785 , H01L29/7888
Abstract: 一种场效应半导体元件，它是用少数元件实现的并具有较小的面积且能够在不需要进行低温冷却的情况下通过其存储数据。栅极－沟道电容被设定得如此地小，以致能根据该半导体场效应晶体管元件电流的改变明确而清楚地检测出捕获区是否俘获到了一个电子或空穴。通过检测该半导体元件的阈值电压由于在捕获区中捕获电子或空穴而产生的改变，就能在室温下实现数据存储。
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