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公开(公告)号：CN1516260A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02157188.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1112727C
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：CN98802666.X
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN100521146C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03130602.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN100474558C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1516261A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03130602.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1881556A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610094395.1
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1284224C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02157188.0
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/76235 , H01L29/78
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生，制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件，此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶，从而优化了元件隔离沟槽的形状，并使器件更精细，且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1248346A
公开(公告)日：2000-03-22
申请号：CN98802666.X
申请日：1998-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: H01L21/762
Abstract: 借助于降低半导体衬底上元件隔离沟槽的沟槽上边沿周围应力的产生,制造了一种具有高度可靠沟槽隔离结构的半导体器件,此沟槽隔离结构在沟槽上边沿处具有所需的曲率半径而不形成任何台阶,从而优化了元件隔离沟槽的形状,并使器件更精细,且改善了器件的电学特性。
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公开(公告)号：CN1036483C
公开(公告)日：1997-11-19
申请号：CN94108764.6
申请日：1994-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: F04C18/356 , F04C29/00
Abstract: 一种旋转式压缩机的转子，其由铁基合金制成，该合金基本上由下列成分组成：2.0-3.9%的碳，2.0-3.0%的Si，0.3-1.0%的Mn，最多达0.10%的S，大于零但不大于0.50%的V，0.3-1.0%的P，0.01-0.5%的Sb，其余的为Fe和附带的杂质。该铁基合金最好还包括0.001-0.5%的B。当使用氟化烃作为制冷剂时，这种转子是适用的。
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公开(公告)号：CN1102459A
公开(公告)日：1995-05-10
申请号：CN94108764.6
申请日：1994-07-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: F04C18/344
CPC classification number: F01C21/08 , F04C2210/26 , F05B2210/14
Abstract: 一种旋转式压缩机的转子，其由铁基合金制成，该合金基本上由下列成分组成：2.0—3.9％的碳，2.0—3.0％的Si，0.3—1.0％的Mn，最多达0.10％的S，大于零但不大于0.50％的V，0.3—1.0％的P，0.01—0.5％的Sb，其余的为Fe和附带的杂质。该铁基合金最好还包括0.001—0.5％的B。当使用氟化烃作为制冷剂时，这种转子是适用的。
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