公开(公告)号：CN1157276A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN96117954.6

申请日：1996-12-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 金井恒行 ,  前田邦裕 ,  千叶秋雄

IPC: C04B35/00

CPC classification number: C04B35/573 ,  C04B35/111 ,  C04B35/591 ,  C04B35/65

Abstract: 本发明的目的是提供强度和断裂韧性都优异的致密碳化硅、氮化硅或氧化铝陶瓷以及提供制备这种陶瓷的工艺。发生化学反应的界面横截毛坯内部，使化学反应在局部区域内进行以制备相对密度至少为95％的致密陶瓷，该陶瓷中形成基体的金属元素的残余含量小于1vol％。

公开(公告)号：CN1036099A

公开(公告)日：1989-10-04

申请号：CN89101158.7

申请日：1989-02-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷辉夫 ,  金井恒行 ,  添田厚子 ,  铃木孝明 ,  东山山和寿 ,  加茂友一 ,  松田臣平 ,  前田邦裕 ,  岡山昭 ,  児玉英世 ,  吉成明 ,  矢内吉美

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01L39/12

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种具有较高临界温度，含择优取向晶粒或无变晶晶粒的包括LnR2Cu3OX相，呈单晶或多晶形式的高温氧化物超导材料，其中Ln为钇或一种(或多个)稀土金属，R为至少一个选自钡。钙和锶的元素，X为6.5到7，通过在有至少一个选自碱金属和铋的元素的情况下合成制得。