公开(公告)号：CN1184682C

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN99816394.5

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 铃木范夫 ,  壹添宏之 ,  児岛雅之 ,  冈本圭司 ,  堀部晋一 ,  渡部浩三 ,  吉田安子 ,  池田修二 ,  高松朗 ,  石塚典男 ,  荻岛淳史 ,  下田真岐

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a)；从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16)；以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面，使其剖面具有圆度。

公开(公告)号：CN1540743A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410036958.2

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 铃木范夫 ,  壹添宏之 ,  児岛雅之 ,  冈本圭司 ,  堀部晋一 ,  渡部浩三 ,  吉田安子 ,  池田修二 ,  高松朗 ,  石塚典男 ,  荻岛淳史 ,  下田真岐

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种制造集成电路的方法，它包含下列步骤：以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模，利用干法腐蚀方法，在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a)；从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16)；以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面，使其剖面具有圆度。

公开(公告)号：CN1338115A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：CN99816394.5

申请日：1999-12-10

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立超大规模集成电路系统株式会社

Inventor： 铃木范夫 ,  壹添宏之 ,  児岛雅之 ,  冈本圭司 ,  堀部晋一 ,  渡部浩三 ,  吉田安子 ,  池田修二 ,  高松朗 ,  石塚典男 ,  荻岛淳史 ,  下田真岐

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/76229 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76232 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: 一种制造集成电路的方法,它包含下列步骤:以氮化硅(14)和侧壁间隔(16)作为掩模,利用干法腐蚀方法,在衬底(1)的隔离区中制作沟槽(2a);从氮化硅(14)清除侧壁间隔(16);以及借助于对衬底(1)进行热氧化而处理有源区周边的衬底(1)的表面,使其剖面具有圆度。