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公开(公告)号：CN119744436A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202380015619.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 为了提供一种能够兼顾图案倾倒的抑制和垂直的加工形状的等离子处理方法，在使用含碳膜的掩模和无机膜的掩模对被蚀刻膜进行等离子蚀刻的等离子处理方法中，具有：第一步骤，使用所述含碳膜的掩模和所述无机膜的掩模对所述被蚀刻膜进行等离子蚀刻；第二步骤，在所述第一步骤后，修整所述含碳膜的掩模；以及第三步骤，在所述第二步骤后，对所述被蚀刻膜进行过蚀刻。
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