公开(公告)号：CN116325079A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202180013886.1

申请日：2021-10-21

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 阮氏翠儿 ,  石川健治 ,  堀胜 ,  筱田和典 ,  滨村浩孝

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种用于相对于氮化铝钛膜选择性去除碳化铝钛膜的方法，所述方法通过使用作为富非卤素自由基源的接近大气压力的等离子体而由Ar和液体蒸气产生各种自由基(例如，NH、H、CHx、N、Ar、OH、O)以用于膜表面改性。改性层能够形成可以通过加热而容易地去除的挥发性产物。

公开(公告)号：CN115516609A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202180005025.9

申请日：2021-04-22

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 筱田和典 ,  滨村浩孝 ,  前田贤治 ,  横川贤悦 ,  石川健治 ,  堀胜

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率得以提升的蚀刻技术。蚀刻方法对配置于晶片的表面的包含过渡金属的氮化物的处理对象的膜层进行蚀刻，该蚀刻方法具备如下工序：对膜层的表面供给包含氟、氢而不含氧的反应性的粒子，来在该膜层的表面形成反应层；和加热膜层来使反应层脱离。

公开(公告)号：CN116897412A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280005713.X

申请日：2022-02-01

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 筱田和典 ,  滨村浩孝 ,  前田贤治 ,  横川贤悦 ,  阮氏翠儿 ,  石川健治 ,  堀胜

IPC: H01L21/3065

Abstract: 提供蚀刻量的均匀性高且蚀刻处理的成品率得以提升的蚀刻技术。在对配置于晶片的表面的包含SiGe的处理对象的膜层进行蚀刻的蚀刻方法中，具备如下工序：对膜层的表面供给包含氟、氢、氮的反应性的粒子，来在该膜层的表面形成包含氮‑氢键的反应层；和加热膜层来使反应层脱离。

公开(公告)号：CN119585849A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380018613.5

申请日：2023-07-06

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 藤崎寿美子 ,  筱田和典

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明目的在于，提供对SiGe相对于Ge以高选择比进行蚀刻的技术。本发明的蚀刻方法之一是将形成于晶片的表面的包含硅锗膜和锗膜的膜构造当中的硅锗膜作为处理对象来进行蚀刻处理的蚀刻方法，具备如下工序：在将所述晶片加热的状态下对所述膜构造供给氢自由基，在所述膜构造的表面形成改性层；在形成所述改性层的工序之后，将所述晶片冷却到0℃到室温，对所述改性层供给包含六氟化硫或包含六氟化硫和氩的气体，来对所述硅锗膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN117321739A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280018219.7

申请日：2022-04-28

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 阮氏翠儿 ,  石川健治 ,  堀胜 ,  筱田和典 ,  滨村浩孝

IPC: H01L21/3065

Abstract: 公开了一种用于相对于金属氮化物蚀刻金属碳化物的连续或循环蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下步骤：将由包含N2和H2且不包含包括氟、氯、溴和碘的卤素气体的气体混合物产生的等离子体供应到金属碳化物的表面的至少一部分所述表面上，以改性金属碳化物的表面；以及通过离子辐射或通过加热去除金属碳化物上的改性表面。