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公开(公告)号：CN114600286B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980101696.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
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公开(公告)号：CN114600286A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201980101696.8
申请日：2019-11-07
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/12 , H01M8/1213 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种燃料电池单元，为高发电输出，在确保燃料电池单元的机械强度的同时增大有助于发电的有效发电区域的面积。本发明的燃料电池单元在支撑基板与第一电极之间具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，所述支撑基板具有第一开口部，所述第一绝缘膜具有第二开口部，所述第二绝缘膜具有第三开口部，所述第一开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，所述第三开口部的开口面积大于所述第二开口部的开口面积，参照图2。
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公开(公告)号：CN119895544A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380015613.X
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明目的在于，提供探测仅凭借从俯视图得到的平面的尺寸数据得不到的形状不良状况、准确地进行蚀刻参数的控制的技术。为此，本发明的服务器基于形成于试样的蚀刻形状的特征量和目标值的变化量、与半导体制造装置的蚀刻参数的相关数据来进行蚀刻参数的控制，以使得能得到所期望的半导体制造装置的处理结果，特征量使用从来自试样的表面的2次电子数据或来自试样的表面的干涉光数据得到的值。特征量有时是基于2次电子数据或干涉光数据从试样的蚀刻形状的尺寸得到的值。此外，作为特征量的变化量，有空间上或时间上的变化的值。
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公开(公告)号：CN118974880A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202380013035.6
申请日：2023-03-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够应对从包括半导体制造装置的装置群等安全风险高的装置输出的数据，能够处理大容量的数据的技术。本发明的半导体装置制造系统之一在于，在具备经由网络与半导体制造装置连接的平台的半导体装置制造系统中，还具备：数据库服务器，将分配给各个所述半导体制造装置的装置ID和从各个所述半导体制造装置输出的数据的扩展名作为装置主机保存；变换连接装置，基于网络的认证信息或者所述平台的认证信息访问所述装置主机，由此取得所述数据；以及路径设定装置，将来自所述半导体制造装置的自发的数据的输出阻断。
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公开(公告)号：CN114667621B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980102022.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115516676A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202080099981.3
申请日：2020-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/12 , H01M8/1286
Abstract: 燃料电池单体(1)具备硅基板(2)、多孔质的支撑材料层(5)、多个孔(60)或柱(40)和层叠体。层叠体具备上部电极层(10)、固体电解质层(100)和下部电极层(20)。上部电极层(10)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)形成的上部电极层(10)连续，或者下部电极层(20)还形成于与硅基板(2)的主面平行的面，以使得与形成于多个孔(60)或柱(40)的下部电极层(20)连续。在多个孔(60)或柱(40)的至少上端部以及下端部，通过多孔质的支撑材料层(5)来支承层叠体。
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公开(公告)号：CN113994453B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202180002514.9
申请日：2021-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , G06N20/00
Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
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公开(公告)号：CN119096530A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202380013063.8
申请日：2023-04-05
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H04L67/2871 , H04L12/22 , H04L12/66 , H04L67/06
Abstract: 本发明的目的在于提供如下技术：从自据点访问其他据点而取得数据，仅取得必要的数据，取得包括自据点以外的半导体制造装置的装置群的可公开的数据。本发明的据点协作系统从配置第一计算机和第二计算机的第一据点访问与第一据点不同的第二据点而取得第二据点的公开的数据，到公开的数据为止的到达路径由第一计算机设定，对到达路径上的设备许可对公开的数据的通信，公开的数据被第二计算机访问，第一据点内的服务器具有保存公开的数据的区域，通过第二计算机，将公开的数据复制到区域，或者参照公开的数据，第一据点以外的据点与区域的通信被第一计算机禁止。
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公开(公告)号：CN114667621A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201980102022.X
申请日：2019-11-08
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01M8/1097 , H01M8/1286
Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持燃料电池单元的发电效率且电解质膜不易产生破损的高可靠性的燃料电池单元。本发明的燃料电池单元在与支撑基板相比靠上方的位置具备覆盖开口部的应力调整层，所述应力调整层对所述支撑基板具有拉伸应力，且具有晶界沿着与膜厚方向平行的方向延伸的柱状晶体结构(参照图2)。
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公开(公告)号：CN113994453A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202180002514.9
申请日：2021-05-13
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , G06N20/00
Abstract: 提供半导体制造装置系统以及半导体装置制造方法，用于在半导体器件的制造工序中减少带来坏影响的异物。半导体装置制造系统具备半导体制造装置和经由网络与所述半导体制造装置连接并执行异物减少处理平台，半导体装置制造系统中的所述异物减少处理具有如下步骤：使用由所述半导体制造装置进行了处理的样品来取得异物特性值；通过机器学习，基于所取得的所述异物特性值和相关数据来确定起因于异物产生的所述半导体制造装置的部件；基于所确定的所述部件来规定用于清洁所述半导体制造装置的清洁条件；以及使用所规定的所述清洁条件来清洁所述半导体制造装置，所述相关数据是预先取得的所述异物特性值与所述部件的相关数据。
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