等离子处理装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113892166B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202080006807.X

    申请日:2020-04-30

    Inventor: 许振斌 田村仁

    Abstract: 为了能不仅解决蚀刻处理的面内均匀性还解决充电损坏的减低这样的课题而进行自由度高的等离子密度分布控制,等离子处理装置在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室,并具备:能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空腔;和具备微波源和圆形波导管并将从微波源振荡的微波电力经由圆形波导管提供到真空腔的微波电力提供部,在该等离子处理装置中,微波电力提供部在圆形波导管与真空腔之间配置与圆形波导管在同轴上同心状配置且内部具有不同介电常数的多个波导管而构成。

    等离子处理装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113874978A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202080006797.X

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 等离子处理装置具备:在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室并能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空室;和对该真空室经由圆形波导管提供微波电力的微波电力提供部,在这样的等离子处理装置中,真空室具备:与圆形波导管连接并接受从圆形波导管传播的微波电力的平行平板线路部;配置于平行平板线路部的外周并接受从平行平板线路部传播的微波电力的环形谐振器部;接受从形成于该环形谐振器部的狭缝天线辐射的微波电力的空洞部;和将该空洞部和等离子处理室分离的微波导入窗,平行平板线路部在与环形谐振器部的边界部分具有调整从平行平板线路部传播到环形谐振器部的微波的相位的相位调整部而构成。

    等离子处理装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115119543A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202180004749.1

    申请日:2021-01-21

    Inventor: 许振斌 田村仁

    Abstract: 提供等离子处理装置,能减少处理室内的等离子的分布的不均匀,配合所期望的蚀刻工艺将处理室内的等离子分布调节成中高、周围高或平坦分布。等离子处理装置具备:对样品进行等离子处理的处理室;供给用于生成等离子的微波的高频电力的高频电源;传输微波的矩形波导管;与矩形波导管连接并向处理室传输微波的圆形波导管;和载置样品的样品台,在该等离子处理装置中,矩形波导管具备:上下分隔形成的上部矩形波导管以及下部矩形波导管;和阻断从高频电源供给的微波的高频电力且配置有电介质的阻断部。圆形波导管具备:与上部矩形波导管连接且形成于内部的内侧波导管;和与下部矩形波导管连接且形成于内侧波导管的外侧的外侧波导管。阻断部的宽度比阻断部以外的矩形波导管的宽度窄。

    等离子处理装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113874978B

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202080006797.X

    申请日:2020-12-24

    Abstract: 等离子处理装置具备:在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室并能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空室;和对该真空室经由圆形波导管提供微波电力的微波电力提供部,在这样的等离子处理装置中,真空室具备:与圆形波导管连接并接受从圆形波导管传播的微波电力的平行平板线路部;配置于平行平板线路部的外周并接受从平行平板线路部传播的微波电力的环形谐振器部;接受从形成于该环形谐振器部的狭缝天线辐射的微波电力的空洞部;和将该空洞部和等离子处理室分离的微波导入窗,平行平板线路部在与环形谐振器部的边界部分具有调整从平行平板线路部传播到环形谐振器部的微波的相位的相位调整部而构成。

    真空处理装置
    5.
    发明公开
    真空处理装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117083700A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202280005665.4

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 一种真空处理装置,其具备:真空处理单元,其具有真空容器,所述真空容器处理被搬运到减压了的内部的处理对象的晶片;锁定室,其在内部搬运处理前或处理后的晶片;大气搬运单元,其包括壳体,所述壳体具有大气搬运室,所述大气搬运室与该锁定室连接,并且在设为大气压并从上方朝向下方形成有气体的流动的内部搬运晶片;以及晶片保存容器,其在内部具有处理过的晶片的保存空间,所述晶片保存容器的部安装于壳体的壁面,且所述晶片保存容器的内部经由配置于该侧壁的开口而与大气搬运室连通,所述真空处理装置具备:排气端口,其在晶片保存容器的内部配置于开口的后方且保存空间的前方且该保存空间的上端部和下端部,并将保存空间的气体向外部排气;以及歧管,其配置于保存空间的后方且朝向开口配置于上端部与下端部之间并具有向该保存空间的内部供给规定的气体的气体吹出孔。

    等离子处理装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113892166A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN202080006807.X

    申请日:2020-04-30

    Inventor: 许振斌 田村仁

    Abstract: 为了能不仅解决蚀刻处理的面内均匀性还解决充电损坏的减低这样的课题而进行自由度高的等离子密度分布控制,等离子处理装置在内部具备对基板进行等离子处理的等离子处理室,并具备:能将该等离子处理室的内部排气成真空的真空腔;和具备微波源和圆形波导管并将从微波源振荡的微波电力经由圆形波导管提供到真空腔的微波电力提供部,在该等离子处理装置中,微波电力提供部在圆形波导管与真空腔之间配置与圆形波导管在同轴上同心状配置且内部具有不同介电常数的多个波导管而构成。

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