公开(公告)号：CN112992544B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202011413259.0

申请日：2020-12-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野贤 ,  村松谕 ,  北条梨沙 ,  野村善行

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种抑制了由焊剂安装造成的耐湿可靠性的下降的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含电介质层以及内部电极层；和外部电极，设置在上述层叠体的表面。在上述层叠体的表面中的至少安装面设置有硅烷偶联剂层。在第1方式中，上述硅烷偶联剂层包含氟系硅烷偶联剂，上述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.1以上且365以下，且比上述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。在第2方式中，上述硅烷偶联剂层包含碳系硅烷偶联剂，上述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.91以上且38.10以下，且比上述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。

公开(公告)号：CN112992544A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011413259.0

申请日：2020-12-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中野贤 ,  村松谕 ,  北条梨沙 ,  野村善行

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/224

Abstract: 本发明提供一种抑制了由焊剂安装造成的耐湿可靠性的下降的层叠陶瓷电容器。本发明的层叠陶瓷电容器具备：层叠体，包含电介质层以及内部电极层；和外部电极，设置在上述层叠体的表面。在上述层叠体的表面中的至少安装面设置有硅烷偶联剂层。在第1方式中，上述硅烷偶联剂层包含氟系硅烷偶联剂，上述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.1以上且365以下，且比上述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。在第2方式中，上述硅烷偶联剂层包含碳系硅烷偶联剂，上述安装面中的硅烷偶联剂浓度为0.91以上且38.10以下，且比上述安装面的对置面中的硅烷偶联剂浓度高。