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公开(公告)号：CN104093888B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380006391.1
申请日：2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/252 , C25D3/14 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D17/16 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。
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公开(公告)号：CN101142642B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200680008331.3
申请日：2006-02-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器，其中，在外部电极的烧付工序之后的冷却过程中，难以产生裂缝，同时热循环之类的低应力循环引起的疲劳断裂(fatigue fracture)即使导致了例如裂缝发生，但裂缝也不会到达内部电极。电容器主体(22)包括由多个内部电极(25，26)和多个电介质陶瓷层(27)交替叠层而成的电容形成部(28)、和在电容形成部(28)的上下面分别堆积的由电介质陶瓷构成的外层部(29)，在该电容器主体(22)中，外层部(29)由最外层(30)和叠层于其内侧的第二层(31)构成。第二层(31)的热膨胀系数大于最外层(30)，而且该差在1×10-6～3×10-6/℃的范围。最外层(30)的厚度在50～80μm的范围，而且第二层(31)的厚度在20～50μm的范围。
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公开(公告)号：CN101142642A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008331.3
申请日：2006-02-02
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/06 , H01G4/1218 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种叠层陶瓷电容器，其中，在外部电极的烧付工序之后的冷却过程中，难以产生裂缝，同时热循环之类的低应力循环引起的疲劳断裂(fatigue fracture)即使导致了例如裂缝发生，但裂缝也不会到达内部电极。电容器主体(22)包括由多个内部电极(25，26)和多个电介质陶瓷层(27)交替叠层而成的电容形成部(28)、和在电容形成部(28)的上下面分别堆积的由电介质陶瓷构成的外层部(29)，在该电容器主体(22)中，外层部(29)由最外层(30)和叠层于其内侧的第二层(31)构成。第二层(31)的热膨胀系数大于最外层(30)，而且该差在1×10－6～3×10－6/℃的范围。最外层(30)的厚度在50～80μm的范围，而且第二层(31)的厚度在20～50μm的范围。
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公开(公告)号：CN104093888A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380006391.1
申请日：2013-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/252 , C25D3/14 , C25D3/30 , C25D5/12 , C25D5/505 , C25D17/16 , H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。
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