公开(公告)号：CN119497668A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202380054515.7

申请日：2023-07-05

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 田中诚

IPC: B41J2/14 ,  B41J2/16

Abstract: 一种用于制造压电体装置的装置制造方法，所述装置制造方法包括:在基板的第一面上形成CMOS元件;在形成有CMOS元件的基板的第一面上形成压电体元件;当形成CMOS元件或压电体元件时，在形成压电体元件的区域中形成第一绝缘膜；当形成压电体元件时，在第一绝缘膜上形成下部电极层、压电体层、上部电极层、及第二绝缘膜;在基板上形成CMOS元件和压电体元件之后，形成CMOS元件的CMOS配线层和压电体元件的压电配线层。

公开(公告)号：CN1681658A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03822109.8

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 西村学 ,  黑田隆彦 ,  阿部修也 ,  田中诚 ,  入野田贡 ,  桥本宪一郎

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1628 ,  B06B1/0292 ,  B41J2/14314 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14411

Abstract: 一种静电激励器，具有高可靠性并且特性几乎不变。在衬底(1)上形成有电极(12a)，在电极上形成有多个分隔部件(50a)。在分隔部件(50a)上形成有振动片(19)并且振动片通过施加到电极(12a)的电压所产生的静电力可变形，使得通过蚀刻在电极(12a)和振动片(19)之间形成的牺牲层(14)的一部分，在分隔部件(50a)之间形成空气间隙(14a)。分隔部件(50a)由蚀刻之后牺牲层(14)的剩余部分形成。

公开(公告)号：CN100340405C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03822109.8

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 西村学 ,  黑田隆彦 ,  阿部修也 ,  田中诚 ,  入野田贡 ,  桥本宪一郎

IPC: B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1628 ,  B06B1/0292 ,  B41J2/14314 ,  B41J2/16 ,  B41J2/1623 ,  B41J2/1629 ,  B41J2/1639 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1645 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/14411

Abstract: 一种静电激励器，具有高可靠性并且特性几乎不变。在衬底(1)上形成有电极(12a)，在电极上形成有多个分隔部件(50a)。在分隔部件(50a)上形成有振动片(19)并且振动片通过施加到电极(12a)的电压所产生的静电力可变形，使得通过蚀刻在电极(12a)和振动片(19)之间形成的牺牲层(14)的一部分，在分隔部件(50a)之间形成空气间隙(14a)。分隔部件(50a)由蚀刻之后牺牲层(14)的剩余部分形成。