公开(公告)号：CN100461414C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510073840.1

申请日：2005-05-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石塚典南 ,  田中顺 ,  岩崎富生 ,  太田裕之

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。

公开(公告)号：CN1716607A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510073840.1

申请日：2005-05-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石塚典南 ,  田中顺 ,  岩崎富生 ,  太田裕之

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02137 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/7833

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，抑制半导体器件的栅电极端部的衬底中产生的位错。具有在半导体衬底的主表面上形成的多个元件形成区，位于上述元件形成区之间且嵌入有上述元件隔离绝缘膜的元件隔离沟槽，在上述元件形成区形成的栅绝缘膜和上述栅电极和上述栅电极的上方形成的多个布线层；上述元件隔离沟槽具有在上述半导体衬底和上述元件隔离绝缘膜之间形成的热氧化膜；上述元件隔离绝缘膜内部含有多个微细孔隙，比上述热氧化膜孔隙更多地形成上述元件隔离绝缘膜。