公开(公告)号：CN1578127A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410038378.7

申请日：2004-05-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石川诚 ,  弦卷宏和 ,  菊池政宽 ,  长井浩之

IPC: H03G1/04 ,  H03F3/24

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H03F1/301 ,  H03F3/195

Abstract: 一种高频功率放大器电子部件(RF功率组件)如此构成，以便在电流镜像结构中给放大器FET施加偏置。在该RF功率组件中，校正了由于FET的短沟道效应引起的偏置点的偏移，减小了高频功率放大器特性的变化。该高频功率放大器电子部件(RF功率组件)如此构成，使得在电流镜像结构中由与放大器晶体管连接的偏置晶体管为高频功率放大器电路中的放大器晶体管提供偏置电压。除了与放大器晶体管的控制端子连接的焊盘(外部端子)，还设置有与偏置晶体管的控制端子连接的第二焊盘，在电流镜像结构中，所述偏置晶体管与所述放大器晶体管连接。