公开(公告)号：CN101026360A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200710001712.5

申请日：2007-01-12

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 弦卷宏和 ,  长井浩之 ,  古屋富男 ,  原泽良明 ,  田部井慎

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/20 ,  H03F3/21 ,  H03F1/30

CPC classification number: H03G3/3047 ,  H03F1/302 ,  H03F3/195 ,  H03F3/343 ,  H03F2200/447 ,  H03F2200/451

Abstract: 本发明针对根据HBT的接地发射极电流放大系数的随时间的变化、温度相关性、偏差等补偿RF功率模块的电特性。化合物半导体集成电路将取决于HBT的hFE的参考HBT的参考电流提供到硅半导体集成电路的偏置电路的第一电流反射镜的输入端。从硅半导体集成电路的第一电流反射镜的输出端，利用响应于HBT的hFE的减小而增大的偏置电流，化合物半导体集成电路的输出HBT的基极被偏置。

公开(公告)号：CN1610251A

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN200410085267.1

申请日：2004-10-18

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 弦卷宏和 ,  长井浩之 ,  古屋富男 ,  石川诚

IPC: H03F3/24 ,  H03F1/32

CPC classification number: H03G1/0005 ,  H03F1/301 ,  H03F2200/294 ,  H03F2200/372 ,  H03G2201/103 ,  H03G2201/206 ,  H03G2201/307 ,  H03G2201/40

Abstract: 在使用一种电流镜方法向放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，能够自动校正因FET沟道杂质浓度的耗散所导致的临界电压Vth的耗散、以及因短沟道效应所导致的临界电压Vth和沟道长度调制系数λ的耗散所产生的一个偏压点的偏移，并且能够减小高频功率放大特性的耗散。在使用一种电流镜方法向放大放大FET提供偏压的高频功率放大器电路中，电流模拟晶体管拥有与放大晶体管相同的沟道长度或基极宽度，并且按与放大晶体管相同的工艺加以形成。一个偏压生成电路，用于把一个根据施加于晶体管的电流所形成的一个电压与一个由把来自恒流电路的电流转换成电压的电流－电压转换元件所生成的一个参考电压加以比较，并向所述放大晶体管和电流模拟晶体管提供一个能够禁止放大晶体管的无功电流因短沟道效应或早期效应而变化的偏压。

公开(公告)号：CN1578127A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410038378.7

申请日：2004-05-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 石川诚 ,  弦卷宏和 ,  菊池政宽 ,  长井浩之

IPC: H03G1/04 ,  H03F3/24

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L2223/6644 ,  H01L2223/665 ,  H03F1/301 ,  H03F3/195

Abstract: 一种高频功率放大器电子部件(RF功率组件)如此构成，以便在电流镜像结构中给放大器FET施加偏置。在该RF功率组件中，校正了由于FET的短沟道效应引起的偏置点的偏移，减小了高频功率放大器特性的变化。该高频功率放大器电子部件(RF功率组件)如此构成，使得在电流镜像结构中由与放大器晶体管连接的偏置晶体管为高频功率放大器电路中的放大器晶体管提供偏置电压。除了与放大器晶体管的控制端子连接的焊盘(外部端子)，还设置有与偏置晶体管的控制端子连接的第二焊盘，在电流镜像结构中，所述偏置晶体管与所述放大器晶体管连接。