公开(公告)号：CN102162134A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110042966.8

申请日：2011-02-18

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 渡边弘纪 ,  木藤泰男 ,  山本建策 ,  高谷秀史 ,  杉本雅裕 ,  森本淳 ,  渡边行彦 ,  副岛成雅 ,  石川刚

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/08

CPC classification number: H01L21/02529 ,  C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66068

Abstract: 在碳化硅衬底的制造方法中，制备由碳化硅制成的含缺陷的衬底(2)。含缺陷的衬底(2)具有前表面、与前表面相对的后表面、和接近于前表面的表面部分(2a)。含缺陷的衬底(2)在表面部分(2a)包括螺型位错。对含缺陷的衬底(2)的前表面施加外力从而减少表面部分(2a)的结晶性。施加外力后，热处理含缺陷的衬底(2)从而恢复表面部分(2a)的结晶性。

公开(公告)号：CN105074059B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN101906664A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010196460.8

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社电装 ,  LPE股份公司

Inventor： 小岛淳 ,  木藤泰男 ,  索尼娅·安吉利斯 ,  安布罗焦·佩斯纳提 ,  约瑟夫·塔伦齐

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/4402 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。

公开(公告)号：CN105074059A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN103801690A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310582360.2

申请日：2013-11-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤中智德 ,  木藤泰男

IPC: B22F3/14 ,  C09K5/14

CPC classification number: H01F1/015

Abstract: 在磁制冷材料的生产方法中，通过施加等于或高于286MPa的压力和在等于或低于600摄氏度的温度下加热来模制由La(Fe，Si)13制成的粉末材料(15)。由此产生得到磁制冷材料的模制产品(17)。

公开(公告)号：CN103801690B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310582360.2

申请日：2013-11-06

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤中智德 ,  木藤泰男

IPC: B22F3/14 ,  C09K5/14

CPC classification number: H01F1/015

Abstract: 在磁制冷材料的生产方法中，通过施加等于或高于286MPa的压力和在等于或低于600摄氏度的温度下加热来模制由La(Fe，Si)13制成的粉末材料(15)。由此产生得到磁制冷材料的模制产品(17)。

公开(公告)号：CN101906664B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010196460.8

申请日：2010-06-03

Applicant: 株式会社电装 ,  LPE股份公司

Inventor： 小岛淳 ,  木藤泰男 ,  索尼娅·安吉利斯 ,  安布罗焦·佩斯纳提 ,  约瑟夫·塔伦齐

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C23C16/4402 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明的碳化硅单晶制造装置具备反应容器(10)、配置在反应容器(10)内的晶种(5)和加热容器(9)。晶种(5)被配置在反应容器(10)的上方，从反应容器(10)下方供给原料气体(3)。加热容器(9)相对于反应容器(10)被配置在原料气体(3)的流动路径上游侧。加热容器(9)具备中空筒状部件(9c)、原料气体入口(9a)、原料气体供给喷嘴(9b)和多个挡板(9d～9i)。原料气体入口(9a)向中空筒状部件(9c)内导入原料气体(3)。原料气体供给喷嘴(9b)将原料气体(3)从中空筒状部件(9c)向反应容器(10)中排出。多个挡板(9d～9i)在从原料气体入口(9a)到原料气体供给喷嘴(9b)之间被配置在原料气体(3)的流动路径上。