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发明公开
碳化硅半导体器件及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN112652655A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011071147.1

申请日：2020-10-09

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 奥村谦太郎 , 大岳秀和 , 束原肇 , 渡边行彦

IPC: H01L29/16 , H01L29/30 , H01L29/45 , H01L21/268 , H01L21/324

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法。从n+型SiC衬底(1)的背面(1b)的表面，即背面(1b)与漏电极(11)之间的界面开始的漏电极(11)的不平高度(H1)小于1.0μm。具体而言，使用顶帽型激光进行漏电极(11)的激光退火，将漏电极(11)的不平高度(H1)设定为小于1.0μm。因此，弯曲强度为1000MPa以上，并且可以抑制元件强度的下降，可以提供可靠性提高的SiC半导体器件。

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