半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108475675B

    公开(公告)日:2022-03-15

    申请号:CN201680073924.1

    申请日:2016-12-16

    Inventor: 柿本规行

    Abstract: 半导体装置具备:逆导开关元件(10、20),在同一个半导体基板(70、90)上并联形成有二极管元件(12、22)和开关元件(11、21);驱动部(30、40),对形成于上述逆导开关元件的多个栅极电极(82)施加栅极电压;模式判定部(50),判定在正导模式和逆导模式中的哪个模式下驱动,在正导模式下电流主要流过上述开关元件,在逆导模式下电流主要流过上述二极管元件。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113519050B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202080018492.0

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 半导体装置具备,在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中,第2部件的面积比第1部件小,半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中,作为在与第2部件之间形成的焊接部,还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1,Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11,(56)对比文件CN 105374779 A,2016.03.02JP 2016162777 A,2016.09.05WO 2015072105 A1,2015.05.21CN 105990284 A,2016.10.05US 2018138134 A1,2018.05.17TW 452943 B,2001.09.01JP 2014154736 A,2014.08.25CN 1529357 A,2004.09.15JP 2015186438 A,2015.10.22JP 2012146733 A,2012.08.02Viktoriia E. Babicheva*, RaduMalureanu, Andrei V. Lavrinenko.Plasmonicfinite-thickness metal–semiconductor–metal waveguide as ultra-compactmodulator.Sciverse sciencedirect.2014,全文.D.Schreiber.电力电子学在风力发电中的应用.变频器世界.2007,(12),全文.尧舜;丁鹏;刘江;曹银花;王智勇.大功率半导体激光器实用化微通道热沉.北京工业大学学报.2009,(12),全文.

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN108346700B

    公开(公告)日:2021-10-12

    申请号:CN201810067250.5

    申请日:2018-01-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其能够抑制表面电极的裂纹并且减轻半导体基板的应力。该半导体装置具有:半导体基板;覆盖所述半导体基板的表面的表面电极;覆盖所述表面电极的表面的一部分的绝缘保护膜;以及对横跨从所述绝缘保护膜的表面至所述表面电极的表面的范围进行覆盖的焊接用金属膜。所述表面电极具有:配置在所述半导体基板上的第一金属膜;与所述第一金属膜的表面接触且具有比所述第一金属膜更高的拉伸强度的第二金属膜;以及第三金属膜,其与所述第二金属膜的表面接触,具有与所述第二金属膜相比较低而与所述第一金属膜相比较高的拉伸强度。

    驱动装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107852159B

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201680030096.3

    申请日:2016-05-18

    Inventor: 柿本规行

    Abstract: 驱动装置并联地驱动包含第一开关元件(21)及第二开关元件(22)的、分别具有栅极的多个开关元件(20)。所述驱动装置具有:驱动器(12),向所述栅极供给电压;以及控制部(11),向所述驱动器输出控制信号来控制所述开关元件的通断。作为控制模式,所述控制部具有使所述第一开关元件和所述第二开关元件双方均进行驱动的多驱动模式、以及仅使所述第一开关元件进行驱动的单驱动模式。所述控制部在所述单驱动模式下将应向所述第一开关元件的栅极施加的栅极电压设定为小于所述多驱动模式下的栅极电压的箝位电压。

    电力转换装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111480231B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN201880079575.3

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 一种电力转换装置,包括:至少一个第一及第二半导体装置(21、22),其具有多个第一及第二半导体芯片(41、42)和多个第一及第二主端子(71m、72m),其中,多个第一及第二半导体芯片具有构成上、下臂(11、12)的第一及第二开关元件(110、120),多个第一及第二主端子具有多个第一及第二高电位(C1、C2)和第一及第二低电位端子(E1、E2)中的至少一个;以及桥接构件(80),其与上述第一低电位端子和上述第二高电位端子一起形成上下连结部(91)。多个所述第一及第二半导体芯片相对于第一及第二轴(A1、A2)而呈线对称地配置。与所述第一低电位端子相对于所述第一高电位端子的配置不同,所述第二低电位端子相对于所述第二高电位端子的配置以所述第二轴为对称轴而呈线对称地配置。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN114846601A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202080085890.4

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51),在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域(151a)。高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d),重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域,在至少一部分中配置有焊料。非重叠区域(151d)至少包括收容剩余焊料的收容区域(151e)。

    电力转换器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110784098A

    公开(公告)日:2020-02-11

    申请号:CN201910694523.3

    申请日:2019-07-30

    Abstract: 一种电力转换器,控制电路具有对控制电流进行限制以调节第一开关元件和第二开关元件中每一个的开关速度的速度调节电阻。速度调节电阻具有根据第一开关元件和第二开关元件中每一个的控制电极处的电压而变化的阻抗。反馈路径连接在第一开关元件的控制电极与第二开关元件的控制电极之间。反馈路径具有在第一开关元件和第二开关元件中每一个的预定米勒周期期间被设定为低于速度调节电阻的阻抗的值的阻抗。

    电力变换器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103516246A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310261951.X

    申请日:2013-06-27

    Inventor: 柿本规行

    CPC classification number: H02P27/06 H02M1/32 H02M1/38 H02M7/53871 H02P27/08

    Abstract: 一种电力变换器包括输出电路(10)和控制电路(20)。输出电路具有连接到直流电源(E)的上开关装置(SH)和与上开关装置串联连接的下开关装置(SL)。输出电路从开关装置之间的连接点向负载供电。控制电路向开关装置提供PWM控制信号,以接通和断开开关装置。控制电路以随着开关速度变得更慢而死区时间变得更长的方式可变地设定开关装置的开关速度和死区时间。

    半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113519050A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202080018492.0

    申请日:2020-01-16

    Abstract: 半导体装置具备,在一面及背面设有电极的多个半导体元件(31、32)、作为将半导体元件夹着而配置的散热部件的、与一面侧的电极电连接的第1部件(41、42)及与背面侧的电极电连接的第2部件(51、52)、以及与散热部件相连的端子(71、72)。在从板厚方向观察的平面视图中,第2部件的面积比第1部件小,半导体元件在第2部件的长边方向上排列配置。半导体装置中,作为在与第2部件之间形成的焊接部,还具有将半导体元件与第2部件电连接的第1接合部(131、132)和将端子的至少1个与第2部件电连接的第2接合部(121、122)。相对于经过第2部件的重心(Cg1,Cg2)且与板厚方向及长边方向正交的轴(AX11,AX12),焊接部线对称配置。

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