Patent search cpc:"H01L2224/05155" Page 1

1.

发明公开
半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛贝夫·辛格 , 李智铭 , 林其谚 , 郭文昌 , 刘洲宗

IPC: H01L23/485 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 , G06F17/5072 , G06F17/5081 , H01L21/78 , H01L22/34 , H01L23/3114 , H01L23/522 , H01L23/5226 , H01L23/525 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53233 , H01L23/53257 , H01L23/53261 , H01L23/5329 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L24/03 , H01L29/0649 , H01L2223/54426 , H01L2223/5446 , H01L2224/02311 , H01L2224/02371 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03464 , H01L2224/03614 , H01L2224/03827 , H01L2224/03848 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/061 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/11 , H01L2224/13026 , H01L2224/1308

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

2.

发明公开
半导体装置以及功率放大器模块无效

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 , 梅本康成 , 柴田雅博 , 那仓健一

IPC: H01L23/485 , H01L27/06 , H01L21/60

CPC classification number: H03F1/52 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , H01L21/0274 , H01L21/2654 , H01L21/28575 , H01L21/30612 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76895 , H01L21/76898 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L25/16 , H01L27/0248 , H01L27/0605 , H01L27/0635 , H01L27/0652 , H01L29/045 , H01L29/0642 , H01L29/0657 , H01L29/0804 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/36 , H01L29/41708 , H01L29/42304 , H01L29/452 , H01L29/66204 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/861 , H01L2224/0221 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0362 , H01L2224/04042 , H01L2224/05025 , H01L2224/05084 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/0518 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/45144 , H01L2224/48106 , H01L2224/48227 , H01L2224/48463 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/10329 , H01L2924/10337 , H01L2924/13051 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/222 , H03F2200/387 , H03F2200/426 , H03F2200/444

Abstract: 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

3.

发明授权
半导体装置、半导体装置的制造方法有权

公开(公告)号：CN104603921B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201280075614.5

申请日：2012-09-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中田洋辅 , 多留谷政良

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/498 , H01L24/01 , H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/034 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05124 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/0603 , H01L2224/16113 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73251 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/07025 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2924/20642 , H01L2924/20643 , H01L2924/20644 , H01L2924/20645 , H01L2924/20646 , H01L2924/20647 , H01L2924/20648 , H01L2924/20649 , H01L2924/2065 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/01201 , H01L2924/01014

Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置，其特征在于，具有：半导体元件；表面电极，其形成在该半导体元件的表面；金属膜，其形成在该表面电极上，具有接合部、以及以与该接合部接触并且包围该接合部的方式形成的应力缓和部；焊料，其避开该应力缓和部而与该接合部接合；以及外部电极，其经由该焊料而与该接合部接合。

4.

发明授权
电子装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN105592636B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201510741043.X

申请日：2015-11-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 上村泰纪 , 清水浩三 , 作山诚树

IPC: H05K3/34 , C22C30/04 , C22C30/00 , C22C28/00 , C22C13/00

CPC classification number: H01L24/81 , B23K35/26 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05644 , H01L2224/13023 , H01L2224/13109 , H01L2224/16227 , H01L2224/16238 , H01L2224/16507 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75702 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81098 , H01L2224/81192 , H01L2224/81211 , H01L2224/81444 , H01L2224/81815 , H01L2224/81907 , H01L2224/8191 , H01L2224/81948 , H01L2224/83104 , H01L2224/92125 , H01L2924/0133 , H01L2924/20104 , H01L2924/3511 , H05K3/3436 , H05K3/3463 , H05K2201/10674 , H05K2203/047 , H01L2924/00014 , H01L2224/05166 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种电装置及其制造方法。电装置包括：第一电部件、第二电部件、以及连接第一电部件与第二电部件的In‑Sn‑Ag合金，所述In‑Sn‑Ag合金包含AgIn2和Ag2In，Ag2In含量低于AgIn2含量。

5.

发明授权
用于晶体管的键合焊盘堆叠有权

公开(公告)号：CN105359261B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201480037406.5

申请日：2014-07-03

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·王 , L·林 , Q·贾 , Q·杨 , J·刘

IPC: H01L21/44 , H01L29/40

CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3192 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/522 , H01L24/03 , H01L24/73 , H01L29/7802 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/04042 , H01L2224/05026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/32245 , H01L2224/40247 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/94 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2224/03 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144

Abstract: 在所描述的示例中，形成包括底部介电层(211)和顶部介电层(212)的介电堆叠，其具有在键合焊盘(215)上方的接触孔(239)。接触孔(239)内的底部介电层(211)的外边缘延伸超过顶部介电层(212)的外边缘，以限定具有键合焊盘边缘的暴露的键合焊盘区域。第一金属层(226)被沉积。第二金属层(227)被沉积在第一金属层(226)上。第二金属层(227)被湿法刻蚀以使其从接触孔(239)中的底部介电层(211)的侧壁凹进。第一金属层(226)被湿法刻蚀以使其从顶部介电层(212)凹进。第一金属层(226)在键合焊盘边缘上方延伸到底部介电层(211)上。

6.

发明授权
组装可印刷半导体元件和制造电子器件的方法有权

公开(公告)号：CN103646848B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201310435963.X

申请日：2005-06-02

Applicant: 伊利诺伊大学评议会

Inventor： R·G·纳佐 , J·A·罗杰斯 , E·梅纳德 , 李建宰 , 姜达荣 , 孙玉刚 , M·梅尔特 , 朱正涛

IPC: H01L21/02 , H01L31/18 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L31/0392 , H01L29/06

CPC classification number: H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子和光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。

7.

发明授权
半导体模块和其制造方法有权

公开(公告)号：CN104637910B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201410645842.2

申请日：2014-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成

IPC: H01L23/492 , H01L23/482 , H01L21/603

CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/83 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32245 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/8384 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/2076 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有接合强度高、高寿命的配线连接部的半导体模块及其制造方法。本发明的半导体模块具有：半导体元件(1)，其具有第1主面和与第1主面相对的第2主面，分别在第1主面具有表面电极，在第2主面具有背面电极；金属板(4)，其隔着使用了金属纳米颗粒的烧结接合材料(2)而与半导体元件(1)的背面电极电连接；以及平板状的导体(5)，其隔着使用了金属纳米颗粒的烧结接合材料(2)而与半导体元件(1)的表面电极电连接，在金属板(4)以及导体(5)设置有从与半导体元件(1)进行接合的接合区域连通至该接合区域的外部的槽(6)。

8.

发明授权
半导体装置及其制造方法有权

公开(公告)号：CN103855124B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310597577.0

申请日：2013-11-22

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 金钟薰 , 裴弼淳

IPC: H01L23/498 , H01L21/48

CPC classification number: H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L2224/02379 , H01L2224/03003 , H01L2224/0311 , H01L2224/03312 , H01L2224/0332 , H01L2224/03334 , H01L2224/03462 , H01L2224/0348 , H01L2224/03505 , H01L2224/03845 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05026 , H01L2224/05073 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05169 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/0579 , H01L2224/05839 , H01L2224/05847 , H01L2224/11464 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：半导体结构，在其一个表面上形成有用于暴露焊盘的开口；第一导电层，形成在开口中以使半导体结构的一个表面更加均匀；以及导电图案，形成在半导体结构的部分的一个表面上，该一个表面包括第一导电层。

9.

发明授权
用于包括通过接合包含覆盖低熔点材料层的非低熔点材料层的两个接合部件而形成的高熔点合金的微电子组件的接合结构以及对应制造方法有权

公开(公告)号：CN105122447B

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201380071665.5

申请日：2013-12-02

Applicant: 伊文萨思公司

Inventor： C·E·尤佐

IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H05K3/34 , H01L23/10 , H01L21/50

CPC classification number: H05K13/046 , H01L21/4853 , H01L21/50 , H01L21/76898 , H01L23/10 , H01L23/481 , H01L23/49811 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/98 , H01L2224/02372 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05027 , H01L2224/05138 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13009 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/13076 , H01L2224/13078 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13105 , H01L2224/13109 , H01L2224/13138 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13184 , H01L2224/1319 , H01L2224/14131 , H01L2224/16146 , H01L2224/16235 , H01L2224/16501 , H01L2224/16505 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27462 , H01L2224/27464 , H01L2224/29011 , H01L2224/29023 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29105 , H01L2224/29109 , H01L2224/29138 , H01L2224/29147 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/81075 , H01L2224/8112 , H01L2224/81141 , H01L2224/81193 , H01L2224/81825 , H01L2224/83075 , H01L2224/8312 , H01L2224/83193 , H01L2224/83825 , H01L2924/00014 , H01L2924/381 , H01L2924/04953 , H01L2924/01071 , H01L2924/01042 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01074 , H01L2924/01047 , H01L2924/01031 , H01L2924/01034 , H01L2924/00012 , H01L2924/07025 , H01L2224/05552

Abstract: 一种微电子组件(10、110、210、310、410)包括：第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)，具有第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)；以及第二衬底(14、114、214、314、414)，具有第二导电元件(26、126、226、326、426)。该组件还包括导电合金块(16、116)，接合至第一和第二导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)，包括第一、第二和第三材料。导电合金块(16、116)的第一和第二材料的熔点均低于合金的熔点。第一材料的浓度从朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)设置的位置处的相对较大量向朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)的相对较小量变化，并且第二材料的浓度从朝向第二导电元件(26、126、226、326、426)设置的位置处的相对较大量向朝向第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的相对较小量变化。通过将具有第一接合部件(30、230、330、430)的第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)与具有第二接合部件(40、240、340、440)的第二衬底(14、114、214、314、414)对准来形成微电子组件(10、110、210、310、410)，使得第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件彼此接触，第一接合部件(30、230、330、430、1030)包括邻近第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)的第一材料层(36、536、636、736、836、936)以及上覆第一材料层(36、536、636、736、836、936)的第一保护层(38、538、638、738、838、938)，第二接合部件(40、240、340、440)包括邻近第二导电元件(26)的第二材料层(46)以及上覆第二材料层(46)的第二保护层(48)，并且加热第一(30、230、330、430、1030)和第二(40、240、340、440)接合部件使得第一(36、536、636、736、836、936)和第二(46)材料层的至少部分一起扩散以形成使第一(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)和第二(14、114、214、314、414)衬底彼此接合的合金块(16、116)。可以在第一衬底(12、112、212、312、412、512、612、712、812、912)上形成多个第一导电元件(26、126、226、326、426、526、626、726、826、926、1022)以及在第二衬底(14、114、214、314、414)上形成多个第二导电元件(26、126、226、326、426)，由多个导电合金块(16、116)接合。导电合金块(116)还可以包围并密封内部容积。