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公开(公告)号：CN105830223B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480069614.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L29/06
Abstract: 半导体装置具备横型晶体管，该横型晶体管具有：具有漂移层(2)的半导体衬底(1)；上述漂移层内的第1杂质层(4)；上述漂移层内的沟道层(6)；上述沟道层内的第2杂质层(7)；上述沟道层与上述第1杂质层之间的上述漂移层上的分离用绝缘膜(3)；上述第2杂质层与上述漂移层之间的沟道区域上的、与上述分离用绝缘膜相连的栅极绝缘膜(10)；上述栅极绝缘膜上与上述分离用绝缘膜上的栅极电极(11)；与上述第1杂质层连接的第1电极(12)；与上述第2杂质层以及上述沟道层连接的第2电极(13)；以及在上述栅极电极与上述第1电极之间的上述分离用绝缘膜之上与上述第1电极连接的场板(14)。上述场板相比于上述栅极电极而言，在电流方向上的尺寸较大。
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公开(公告)号：CN105830223A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480069614.3
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/08 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7824 , H01L21/84 , H01L27/0922 , H01L27/1203 , H01L29/0692 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/66681
Abstract: 半导体装置具备横型晶体管，该横型晶体管具有：具有漂移层(2)的半导体衬底(1)；上述漂移层内的第1杂质层(4)；上述漂移层内的沟道层(6)；上述沟道层内的第2杂质层(7)；上述沟道层与上述第1杂质层之间的上述漂移层上的分离用绝缘膜(3)；上述第2杂质层与上述漂移层之间的沟道区域上的、与上述分离用绝缘膜相连的栅极绝缘膜(10)；上述栅极绝缘膜上与上述分离用绝缘膜上的栅极电极(11)；与上述第1杂质层连接的第1电极(12)；与上述第2杂质层以及上述沟道层连接的第2电极(13)；以及在上述栅极电极与上述第1电极之间的上述分离用绝缘膜之上与上述第1电极连接的场板(14)。上述场板相比于上述栅极电极而言，在电流方向上的尺寸较大。
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公开(公告)号：CN109863581B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201780063822.6
申请日：2017-10-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有二极管形成区域(Di)；第一导电型的上部扩散区域(20、50、70)，形成于二极管形成区域中的半导体基板的主面(10a)的表层；以及第二导电型的下部扩散区域(30、60、80)，形成于在半导体基板的深度方向上相对于主面比上部扩散区域深的位置，且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度高。另外，下部扩散区域在比主面深的位置形成与上部扩散区域接合的PN结面(S)，并且在二极管形成区域中的下部扩散区域的杂质浓度特性中，具有表示浓度的极大值的极大点(P、P1、P2)。
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公开(公告)号：CN109863581A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201780063822.6
申请日：2017-10-04
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
Abstract: 半导体装置具备：半导体基板(10)，具有二极管形成区域(Di)；第一导电型的上部扩散区域(20、50、70)，形成于二极管形成区域中的半导体基板的主面(10a)的表层；以及第二导电型的下部扩散区域(30、60、80)，形成于在半导体基板的深度方向上相对于主面比上部扩散区域深的位置，且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度高。另外，下部扩散区域在比主面深的位置形成与上部扩散区域接合的PN结面(S)，并且在二极管形成区域中的下部扩散区域的杂质浓度特性中，具有表示浓度的极大值的极大点(P、P1、P2)。
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