公开(公告)号：CN111033772B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880053991.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 株式会社白山 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  石川县

Inventor： 鹤见重行 ,  安田和正 ,  早乙女刚 ,  小矢野干夫 ,  豊田丈紫 ,  的场彰成 ,  南川俊治

IPC: H10N10/851 ,  C01B33/02 ,  H10N10/857 ,  H10N10/01 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明提供一种热电材料(1)，所述热电材料(1)具有：母相(10)，以MgSiSn合金为主要成分；空孔(12)，形成于母相(10)中；以及硅层，至少形成于空孔(12)的壁面且以硅为主要成分。热电材料(1)还具有1.0wt％以上且20.0wt％以下的MgO。硅层包含非晶Si或者包含非晶Si和纳米尺寸的Si结晶，母相(10)由MgSiSn合金的化学组成的Si的组成比率比其他区域高的区域以及Sn的组成比率比其他区域高的区域构成。热电材料阻率。(1)通过这样的结构来实现更低热导率且更低电

公开(公告)号：CN111033772A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053991.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 株式会社白山 ,  国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  石川县

Inventor： 鹤见重行 ,  安田和正 ,  早乙女刚 ,  小矢野干夫 ,  豊田丈紫 ,  的场彰成 ,  南川俊治

IPC: H01L35/14 ,  C01B33/02 ,  H01L35/26 ,  H01L35/34 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明提供一种热电材料(1)，所述热电材料(1)具有：母相(10)，以MgSiSn合金为主要成分；空孔(12)，形成于母相(10)中；以及硅层，至少形成于空孔(12)的壁面且以硅为主要成分。热电材料(1)还具有1.0wt％以上且20.0wt％以下的MgO。硅层包含非晶Si或者包含非晶Si和纳米尺寸的Si结晶，母相(10)由MgSiSn合金的化学组成的Si的组成比率比其他区域高的区域以及Sn的组成比率比其他区域高的区域构成。热电材料(1)通过这样的结构来实现更低热导率且更低电阻率。