公开(公告)号：CN100452205C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200610006826.4

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  中井淳一 ,  藤井秀夫 ,  井土带刀

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/241 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15%或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN1925037A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610125772.3

申请日：2006-08-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 藤井秀夫 ,  井土带刀 ,  田内裕基

IPC: G11B7/24 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26

CPC classification number: C23C14/3414 ,  G11B7/243 ,  G11B7/2534 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312

Abstract: 提供了不仅初始反射率、记录标记的生成等优异，而且在高温和高湿环境中的耐久性也特别优异的光学信息记录介质用记录层，它可以适用于采用蓝－紫色激光束的下一代光盘。通过照射激光束产生记录标记的所述光学信息记录介质用记录层包含含有5－50原子百分数的In和/或12－40原子百分数的Zn的Sn基合金。

公开(公告)号：CN101260484A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810083440.2

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  中井淳一 ,  藤井秀夫 ,  井土带刀

IPC: C22C5/06 ,  G11B7/243

Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN1819041A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006826.4

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  中井淳一 ,  藤井秀夫 ,  井土带刀

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/241 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)。本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。