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公开(公告)号：CN102825020A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210193164.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 提供一种基板处理方法，其能够容易地和最佳地控制流体喷嘴的移动速度，同时考虑到与诸如处理时间（处理量）的因素的关系，从而能够在基板表面的整个表面上均匀地进行例如清洁或者干燥的处理。该处理方法包括，当将流体喷嘴从旋转基板的中心移动到外周的同时，从流体喷嘴朝旋转的基板表面喷射至少一种流体，以处理该表面。流体喷嘴以恒定的初始移动速度被从基板的中心移动到预定点。流体喷嘴随后以移动速度V（r）从预定点移动，该V（r）满足以下关系式：V(r)×rα=C(常数),其中，V（r）表示，当流体喷嘴经过与基板表面上且与所述基板的中心相距距离“r”的位置相对应的位置时，流体喷嘴的移动速度，和α表示幂指数。
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公开(公告)号：CN102825020B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210193164.1
申请日：2012-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 提供一种基板处理方法，其能够容易地和最佳地控制流体喷嘴的移动速度，同时考虑到与诸如处理时间（处理量）的因素的关系，从而能够在基板表面的整个表面上均匀地进行例如清洁或者干燥的处理。该处理方法包括，当将流体喷嘴从旋转基板的中心移动到外周的同时，从流体喷嘴朝旋转的基板表面喷射至少一种流体，以处理该表面。流体喷嘴以恒定的初始移动速度被从基板的中心移动到预定点。流体喷嘴随后以移动速度V（r）从预定点移动，该V（r）满足以下关系式：V(r)×rα=C(常数),其中，V（r）表示，当流体喷嘴经过与基板表面上且与所述基板的中心相距距离“r”的位置相对应的位置时，流体喷嘴的移动速度，和α表示幂指数。
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公开(公告)号：CN104979244A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510170132.3
申请日：2015-04-10
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置，可提高在对研磨部或清洗部执行测试时的基板的处理效率。CMP装置具有：研磨单元(3)，包含对基板进行研磨的至少一个研磨部；清洗单元(4)，包含对基板进行清洗的至少一个清洗部；装载/卸载单元(2)；输送单元，在研磨单元、清洗单元及装载/卸载单元之间对基板进行输送；以及控制部(5)，对输送单元中的基板的输送进行控制。在研磨单元包含多个研磨部或清洗单元包含多个清洗部时，控制部可对多个研磨部的一部分或多个清洗部的一部分设定测试模式，该测试模式使研磨部或清洗部测试用地动作，使基板输送到未设定测试模式的研磨部或清洗部，并使不同于基板的测试用基板输送到设定了测试模式的研磨部或清洗部。
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公开(公告)号：CN102847688A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210219903.X
申请日：2012-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67046 , B08B1/04
Abstract: 提供一种基板清洁方法，即使在基板表面的清洁区域中存在基板的旋转速度和辊清洁构件的旋转速度之间的相对速度为零的点（区域）时，该基板清洁方法能够利用辊清洁构件在整个表面上更均匀地清洁基板表面。基板清洁方法通过在保持辊清洁构件与基板表面接触的同时旋转基板和辊清洁构件，并利用沿着基板的直径方向延伸的辊清洁构件擦洗基板表面，基板清洁方法包括在擦洗清洁基板表面期间，改变基板和辊清洁构件中至少一个的旋转速度或者基板的旋转方向。
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