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公开(公告)号:CN102825020A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210193164.1
申请日:2012-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 提供一种基板处理方法,其能够容易地和最佳地控制流体喷嘴的移动速度,同时考虑到与诸如处理时间(处理量)的因素的关系,从而能够在基板表面的整个表面上均匀地进行例如清洁或者干燥的处理。该处理方法包括,当将流体喷嘴从旋转基板的中心移动到外周的同时,从流体喷嘴朝旋转的基板表面喷射至少一种流体,以处理该表面。流体喷嘴以恒定的初始移动速度被从基板的中心移动到预定点。流体喷嘴随后以移动速度V(r)从预定点移动,该V(r)满足以下关系式:V(r)×rα=C(常数),其中,V(r)表示,当流体喷嘴经过与基板表面上且与所述基板的中心相距距离“r”的位置相对应的位置时,流体喷嘴的移动速度,和α表示幂指数。
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公开(公告)号:CN1329972C
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN02815790.7
申请日:2002-08-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/32
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C18/1608 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C23C18/48 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法,其具有埋入布线结构,并利用保护膜来保护裸露布线的表面;上述埋入布线结构是通过在设于半导体基片等表面上的布线用的微细凹部中,埋入铜或银等导电体而构成的。本发明的半导体器件的特征在于,在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面,形成表面平坦化的保护膜。
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公开(公告)号:CN1545728A
公开(公告)日:2004-11-10
申请号:CN02815790.7
申请日:2002-08-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/32
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C18/1608 , C23C18/1632 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C23C18/48 , C23C18/50 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76874 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法,其具有埋入布线结构,并利用保护膜来保护裸露布线的表面;上述埋入布线结构是通过在设于半导体基片等表面上的布线用的微细凹部中,埋入铜或银等导电体而构成的。本发明的半导体器件的特征在于,在具有埋入布线结构的半导体器件的裸露布线表面,形成表面平坦化的保护膜。
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公开(公告)号:CN102847688A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210219903.X
申请日:2012-06-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67046 , B08B1/04
Abstract: 提供一种基板清洁方法,即使在基板表面的清洁区域中存在基板的旋转速度和辊清洁构件的旋转速度之间的相对速度为零的点(区域)时,该基板清洁方法能够利用辊清洁构件在整个表面上更均匀地清洁基板表面。基板清洁方法通过在保持辊清洁构件与基板表面接触的同时旋转基板和辊清洁构件,并利用沿着基板的直径方向延伸的辊清洁构件擦洗基板表面,基板清洁方法包括在擦洗清洁基板表面期间,改变基板和辊清洁构件中至少一个的旋转速度或者基板的旋转方向。
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公开(公告)号:CN102825020B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201210193164.1
申请日:2012-06-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024
Abstract: 提供一种基板处理方法,其能够容易地和最佳地控制流体喷嘴的移动速度,同时考虑到与诸如处理时间(处理量)的因素的关系,从而能够在基板表面的整个表面上均匀地进行例如清洁或者干燥的处理。该处理方法包括,当将流体喷嘴从旋转基板的中心移动到外周的同时,从流体喷嘴朝旋转的基板表面喷射至少一种流体,以处理该表面。流体喷嘴以恒定的初始移动速度被从基板的中心移动到预定点。流体喷嘴随后以移动速度V(r)从预定点移动,该V(r)满足以下关系式:V(r)×rα=C(常数),其中,V(r)表示,当流体喷嘴经过与基板表面上且与所述基板的中心相距距离“r”的位置相对应的位置时,流体喷嘴的移动速度,和α表示幂指数。
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公开(公告)号:CN1246494C
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:CN02814386.8
申请日:2002-10-15
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C23C18/31 , H01L21/288
CPC classification number: C25D17/001 , C23C18/1617 , C23C18/1628 , C23C18/1676 , C23C18/50 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种喷镀装置,所述喷镀装置能够使得一喷镀液始终保持最佳的情况,同时使得所需的喷镀液的量最小化,其能够在一工件的喷镀表面上很容易地形成一均匀的喷镀薄膜。所述喷镀装置包括:一个喷镀液供给系统(70),所述喷镀供给系统使得喷镀液不断地循环,同时加热在循环箱(80)中的喷镀液,其中所述循环箱中装有一加热装置(78a),并且当进行喷镀加工时向喷镀加工部(24)提供一定量的喷镀液;一个喷镀液回收系统(72),所述回收系统用于在喷镀加工后回收喷镀加工部(24)中的喷镀液,加热喷镀液,并且使得被加热的喷镀液返回至循环箱(80)中;以及一个喷镀液补充系统(74),所述补充系统用于向所述循环箱(80)补充新的喷镀液或者一种喷镀液组分。
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公开(公告)号:CN1633520A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN02815036.8
申请日:2002-08-12
Applicant: 株式会社荏原制作所
CPC classification number: C23C18/1669 , C23C18/1619 , C23C18/1678 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76864 , H01L21/76874
Abstract: 本发明提供了一种镀膜装置,其能够容易地在材料的将要被镀膜的表面上形成均匀的镀膜。该镀膜装置包括:保持器,其用于保持材料,使材料的将要被镀膜的表面朝上,而且所述将要被镀膜的表面的周部被密封住;热流体容纳部分,其用于容纳热流体,所述热流体能够接触由保持器保持着的材料的背侧表面,以加热所述材料;以及镀液供应部分,其用于向由保持部分保持着的材料的将要被镀膜的表面供应镀液。
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公开(公告)号:CN1533448A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN02814386.8
申请日:2002-10-15
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C23C18/31 , H01L21/288
CPC classification number: C25D17/001 , C23C18/1617 , C23C18/1628 , C23C18/1676 , C23C18/50 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种喷镀装置,所述喷镀装置能够使得一喷镀液始终保持最佳的情况,同时使得所需的喷镀液的量最小化,其能够在一工件的喷镀表面上很容易地形成一均匀的喷镀薄膜。所述喷镀装置包括:一个喷镀液供给系统(70),所述喷镀供给系统使得喷镀液不断地循环,同时加热在循环箱(80)中的喷镀液,其中所述循环箱中装有一加热装置(78a),并且当进行喷镀加工时向喷镀加工部(24)提供一定量的喷镀液;一个喷镀液回收系统(72),所述回收系统用于在喷镀加工后回收喷镀加工部(24)中的喷镀液,加热喷镀液,并且使得被加热的喷镀液返回至循环箱(80)中;以及一个喷镀液补充系统(74),所述补充系统用于向所述循环箱(80)补充新的喷镀液或者一种喷镀液组分。
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