抛光方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1685482A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200380100128.5

    申请日:2003-12-03

    CPC classification number: B24B37/30 B24B37/042

    Abstract: 转动半导体晶片(W)和抛光台(100)。抛光台(100)上具有一个抛光面。半导体晶片(W)挤压在位于以第一转速转动的抛光台(100)上的所述抛光面上,以抛光半导体晶片(W)。半导体晶片(W)在其挤压在所述抛光面上之后从所述抛光面上分离。在半导体晶片(W)从所述抛光面上分离之前,将抛光台(100)的转速降至低于所述第一转速的第二转速,以在半导体晶片(W)与抛光台(100)之间提供转速差。

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