公开(公告)号：CN1408461A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143550.2

申请日：2002-09-27

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 田中亮 ,  铃木庸子 ,  岸贵士

IPC: B01D53/04 ,  B01D46/00 ,  B01J47/00

CPC classification number: B01D53/0454

Abstract: 除气过滤器具有用于吸附气体的离子交换器和设置在离子交换器上的至少一对电阻测量电极。通过测量设置在离子交换器上的所述至少一对电阻测量电极之间的电阻变化，可以评估出离子交换器的离子交换基消耗率。离子交换器的离子交换基消耗率可以在短时间内被测量，离子交换器的剩余吸附能力可以很容易地知道。

公开(公告)号：CN1630930A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN02810091.3

申请日：2002-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 田中亮 ,  铃木庸子 ,  岸贵士

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67393

Abstract: 本发明提供一种例如在制造小于0.13mm线宽的集成电路的工艺中使用的衬底传送容器，能够保持容器内部的至少对于颗粒、酸性气体、碱性气体、有机物和湿气的污染物水平在被控低水平，并具有可与自动化半导体制造设备相容的尺寸和结构。该容器在容器主体的表面上设有用于装载和卸载衬底的门(1)，并构成为以给定隔开距离保持衬底在容器主体内部，其中用于降低颗粒和气体污染物的水平的空气调节装置大致对称地设置在容器主体(6)上。

公开(公告)号：CN100449682C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN02810091.3

申请日：2002-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 田中亮 ,  铃木庸子 ,  岸贵士

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67393

Abstract: 本发明提供一种例如在制造小于0.13mm线宽的集成电路的工艺中使用的衬底传送容器，能够保持容器内部的至少对于颗粒、酸性气体、碱性气体、有机物和湿气的污染物水平在被控低水平，并具有可与自动化半导体制造设备相容的尺寸和结构。该容器在容器主体的表面上设有用于装载和卸载衬底的门(1)，并构成为以给定隔开距离保持衬底在容器主体内部，其中用于降低颗粒和气体污染物的水平的空气调节装置大致对称地设置在容器主体(6)上。

公开(公告)号：CN1260778C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。

公开(公告)号：CN1473357A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。

公开(公告)号：CN3281964D

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02329765.4

申请日：2002-05-16

Applicant: 株式会社荏原制作所

Designer： 田中亮 ,  铃木庸子 ,  岸贵士

Abstract: 参考图中虚线部位为透明。