公开(公告)号：CN110880454B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910767047.3

申请日：2019-08-20

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，使用以能够旋转的方式具有切削刀具的切削装置，沿着分割预定线对该晶片进行切削而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片赋予超声波，将器件芯片上推而拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111293081B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201911180494.5

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，并将器件芯片顶起，从该聚酯系片拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN108878356B

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN201810425609.1

申请日：2018-05-07

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 上里昌充

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供片材粘贴方法，能够抑制器件之间的间隔的不均匀，并且能够抑制器件的生产率的降低。该片材粘贴方法包含如下的步骤：片材粘贴步骤，将片材粘贴在板状物上，并且将粘贴有板状物的片材安装在具有开口的环状框架上，从而形成由环状框架、收纳在环状框架的开口内的板状物以及粘贴在板状物上的片材构成的板状物单元；以及张力缓和步骤，在实施了片材粘贴步骤之后，对在片材粘贴步骤中产生于片材的张力进行缓和。

公开(公告)号：CN107863293B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201710821076.4

申请日：2017-09-13

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 上里昌充 ,  裵泰羽

IPC: H01L21/304

Abstract: 提供晶片的加工方法，抑制缺陷或裂纹的产生并将晶片分割成芯片。该晶片具有正面，在该正面上，在由交叉的多条间隔道划分的各区域内分别形成有器件，该方法具有如下步骤：正面保护带粘贴步骤，在晶片的正面上粘贴正面保护带；改质层形成步骤，在实施了正面保护带粘贴步骤之后，沿着间隔道从晶片背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成改质层；以及磨削步骤，在实施了改质层形成步骤之后，从背面侧对晶片进行磨削而薄化，在正面保护带粘贴步骤中，一边对正面保护带进行加热一边进行粘贴，在改质层形成步骤或磨削步骤中，形成从改质层到晶片的正面的裂纹，在磨削步骤中，以裂纹为边界对晶片进行分割而形成各个芯片。

公开(公告)号：CN111916395A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN202010337607.4

申请日：2020-04-26

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚酯系片进行加热，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668160A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138245.6

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚酯系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚酯系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚酯系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚酯系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111668147A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010138158.0

申请日：2020-03-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成改质层，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111446208A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010004224.5

申请日：2020-01-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，对该聚烯烃系片进行冷却，将器件芯片顶起，拾取该器件芯片。

公开(公告)号：CN111146115A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911064932.1

申请日：2019-11-04

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，吹送空气而将器件芯片顶起，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。

公开(公告)号：CN111063607A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910966765.3

申请日：2019-10-12

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 原田成规 ,  松泽稔 ,  木内逸人 ,  淀良彰 ,  荒川太朗 ,  上里昌充 ,  河村慧美子 ,  藤井祐介 ,  宫井俊辉 ,  大前卷子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面和框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光束，形成分割槽而将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。