公开(公告)号：CN102362002B

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201080011383.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松村仁实 ,  南部旭 ,  得平雅也 ,  冈本晋也

IPC: C23C14/34 ,  B22F9/08 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  B22F9/082 ,  C23C14/34 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。

公开(公告)号：CN102362002A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201080011383.2

申请日：2010-04-14

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松村仁实 ,  南部旭 ,  得平雅也 ,  冈本晋也

IPC: C23C14/34 ,  B22F9/08 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  B22F9/082 ,  C23C14/34 ,  B22F3/15

Abstract: 本发明提供一种Cu-Ga合金溅射靶，可形成膜的成分组成的均匀性(膜均匀性)优异的Cu-Ga溅射膜且可降低溅射中的穿孔产生，同时，强度高且可抑制溅射中的裂纹。本发明是一种包含含有Ga的Cu基合金的溅射靶，其平均结晶粒径为10μm以下，且孔隙率为0.1％以下。