公开(公告)号：CN112447506A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010871334.1

申请日：2020-08-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  杨映保

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明涉及激光退火装置及激光退火方法。激光退火装置具备：光源，其射出连续振荡的激光；以及光学头，其将从光源射出的各个激光加工成为收敛的激光束，激光束能够对应地投影到位于栅极线的上方的改质预定区域内，光学头在激光束中最收敛的点部位于改质预定区域的非晶硅膜的膜内部的状态下，在改质预定区域内沿着栅极线延伸的方向相对性地扫描激光束。

公开(公告)号：CN118742994A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380023503.8

申请日：2023-01-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 木下理裕 ,  杨映保 ,  鸟山诚也 ,  小杉纯一 ,  后藤顺 ,  泽井卓哉

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

Abstract: 激光退火装置具备射出激光束的多个光束出射部，所述激光束由连续振荡激光构成且相对于被照射面具有长方形的光束点，所述激光退火装置使所述激光束相对于在基板上成膜的非晶硅膜沿着扫描方向相对地进行扫描，而将所述非晶硅膜的带状的改性预定区域晶化，其中，所述光束点的长边与正交于所述扫描方向的方向平行，所述光束点的长边的长度设定为比由于内部应力而使所述基板破损的长度短，其中，所述内部应力是伴随着基于所述激光束的照射引起的加热而产生的对所述基板来说固有的应力。

公开(公告)号：CN114207797A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080056343.3

申请日：2020-08-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  后藤顺 ,  鸟山诚也

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28

Abstract: 激光退火装置向成膜在基板上的被退火处理膜照射从光源振荡出的连续振荡激光，使所述被退火处理膜改性为晶化膜，其中，所述激光退火装置具备光束加工部，该光束加工部对所述连续振荡激光进行加工，使其成为收敛的激光束，在所述激光束最为收敛的光斑部位于所述被退火处理膜的膜内部的状态下，该激光束相对于所述被退火处理膜相对地进行扫描。

公开(公告)号：CN220474570U

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202190000998.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  针谷香织 ,  木下理裕

IPC: H01L21/20

Abstract: 提供能够提高改性为晶化用膜为止的生产效率且实现省空间化及低成本化的激光退火装置。所述激光退火装置具备射出脱氢化用激光束的脱氢化用光学头，所述脱氢化用光学头以使所述脱氢化用激光束先于所述晶化用激光束地照射所述非晶硅膜中的至少改性预定区域来进行所述非晶硅膜的脱氢化的方式，相对于所述非晶硅膜向所述扫描方向相对地进行移动。

公开(公告)号：CN213366530U

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202021814163.0

申请日：2020-08-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  杨映保

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/84

Abstract: 本实用新型涉及激光退火装置。激光退火装置具备：光源，其射出连续振荡的激光；以及光学头，其将从光源射出的各个激光加工成为收敛的激光束，激光束能够对应地投影到位于栅极线的上方的改质预定区域内，光学头在激光束中最收敛的点部位于改质预定区域的非晶硅膜的膜内部的状态下，在改质预定区域内沿着栅极线延伸的方向相对性地扫描激光束。