公开(公告)号：CN216719972U

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202121760927.7

申请日：2021-07-30

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 杉本典幸 ,  粟野彻 ,  敦贺光明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本实用新型提供一种能够将芯片部件可靠地转印于具有粘接力的挠性部件的芯片部件的转印装置。芯片部件的转印装置具备：第一工作台，其能够保持在临时基板上排列形成有芯片部件的带芯片部件的临时基板；第二工作台，其能够保持挠性部件，该挠性部件在周围安装有环状的固定部件，且表面具有粘接力；以及驱动机构，其设置于所述第一工作台和所述第二工作台中的至少一者，使所述第一工作台和所述第二工作台相对移动，以使所述第一工作台与所述第二工作台接近或分离。在所述第二工作台设置有凸状部，该凸状部与支承所述挠性部件的第二工作台的表面一体或分体设置，从支承所述挠性部件的表面突出，与所述挠性部件抵接。

公开(公告)号：CN203837664U

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201420204535.6

申请日：2014-04-24

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 吉田太郎 ,  大渊一人 ,  上原诚

IPC: G01B11/25

Abstract: 本实用新型的形状测量装置通过提高光源光的受光效率，不提高光源输出，而确保所希望的受光量。形状测量装置(1)具备向被测量物体(W)的设置面(2)投射光的投光部(3)和接收由投光部(3)投射的光的受光部(4)，通过受光部(4)的输出来测量被测量物体的形状和尺寸，其中，投光部(3)具备光源(10)、入射从光源(10)射出的光的杆积分器(11)、以及具有能够取入从杆积分器(11)的光射出面(11A)射出的全光束的开口数和视场而且至少在被测量物体侧呈远心状态的投光光学系统(20)，受光部(4)具备接收被测量物体的投影影像的拍摄元件(12)和使设置面(2)与拍摄元件(12)的受光面成为共轭关系的物体侧远心受光光学系统(30)，投光光学系统(20)内部的开口光圈(22)与受光光学系统(30)内部的开口光圈(33)处于共轭关系。

公开(公告)号：CN204975689U

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201490000407.8

申请日：2014-02-03

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 境野哲雄 ,  户村大祐

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/40 ,  G02F1/13 ,  G09F9/00

CPC classification number: B23K26/06 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  G02F1/1309

Abstract: 本实用新型提供一种激光修复装置及显示装置，其通过对形成有不同种类的多层膜的基板上的特定膜照射激光而实施修复处理，本实用新型的激光修复装置(1)中具备：激光源(3)，以规定的振荡波长(λs)进行输出；波长转换部(4)，将从激光源(3)射出的激光的波长转换成在特定膜中吸收最多的特定波长(λt)；传输光学系统(5)，在设定光路上传输从波长转换部(4)射出的激光，传输光学系统(5)包括使特定波长(λt)的激光选择性地在设定光路上传输的波长选择光学要件(5A、5B、5D)，并射出高纯度的特定波长(λt)的激光，从而，针对基板上层叠有异种膜的处理对象，通过抑制对下层的不良影响而选择性地仅对特定的膜进行修复处理。

公开(公告)号：CN204101765U

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201420447592.7

申请日：2014-08-08

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 新井敏成 ,  桥本和重

IPC: G02B5/30 ,  G02B27/28 ,  G02F1/1337

Abstract: 本实用新型提供一种偏光元件单元以及使用偏光元件单元的偏光照射装置，偏光元件单元能够防止未偏振光等泄露，并减少未偏振光照射于光取向膜用抗蚀剂，并减少曝光光的照射不均，还提供一种使用该单元的偏光照射装置。本实用新型提供的偏光照射装置(10)对取向膜用抗蚀剂(W1)照射偏振光，进行光取向，其特征在于，包括：光源部(11)，其用于对抗蚀剂(W1)照射光；以及偏光元件单元(1)，其由平行四边形的单位偏光元件构成，用于使来自该光源的光偏振成规定的偏振光。光源部(11)的光源(12)为平行于偏光元件单元(1)的单位偏光元件(2)的排列方向配置的线状光源。

公开(公告)号：CN220474570U

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202190000998.9

申请日：2021-12-23

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  针谷香织 ,  木下理裕

IPC: H01L21/20

Abstract: 提供能够提高改性为晶化用膜为止的生产效率且实现省空间化及低成本化的激光退火装置。所述激光退火装置具备射出脱氢化用激光束的脱氢化用光学头，所述脱氢化用光学头以使所述脱氢化用激光束先于所述晶化用激光束地照射所述非晶硅膜中的至少改性预定区域来进行所述非晶硅膜的脱氢化的方式，相对于所述非晶硅膜向所述扫描方向相对地进行移动。

公开(公告)号：CN211681559U

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201921695878.6

申请日：2019-10-11

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 大内秀之

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B27/00 ,  B24B53/017 ,  H01L21/304

Abstract: 本实用新型提供一种能够提高吞吐量并能够小型化的晶圆的研磨装置。头清洗部(7)设置在晶圆交接区域(5)的下方，具备：从装载/卸载区域(4)向晶圆交接区域(5)搬运晶圆(W)的、在装载/卸载区域(4)与晶圆交接区域(5)之间进行往复移动的装载板；从晶圆交接区域(5)向装载/卸载区域(4)搬运晶圆(W)的、在装载/卸载区域(4)与晶圆交接区域(5)之间进行往复移动的卸载板(9)。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN203720529U

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201420091928.0

申请日：2014-02-28

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 桥本和重 ,  新井敏成

IPC: G03F7/20

Abstract: 本实用新型提供一种扫描曝光装置,其不影响节拍时间而确认基板表面上的光照射能量。本实用新型的扫描曝光装置(1)具备：基板台(2)；光照射装置(3)；照度传感器台(4)，以与基板(W)的表面相同的高度支承照度传感器(4S)；及扫描控制装置(6)，同时或分别控制基板台(2)与照度传感器台(4)的沿扫描方向的移动。照度传感器台(4)位于基板台(2)的扫描方向下游侧。

公开(公告)号：CN202362560U

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201120457110.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  福冈诚也 ,  平野贵文

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1333

Abstract: 本实用新型提供一种液晶部件制作装置，其不会对活性区域照射紫外线，能够有选择地对涂敷了密封剂的区域照射紫外线。所述液晶部件制作装置包括：平台部，其设置有液晶部件，并由能使紫外线透过的材料构成；第一紫外线照射部，其对设置在平台部的液晶部件的密封剂区域的横向区域，从平台部的下方照射紫外线；第二紫外线照射部，其对设置在平台部的液晶部件的密封剂区域的纵向区域，从平台部的上方照射紫外线。

公开(公告)号：CN213366530U

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202021814163.0

申请日：2020-08-26

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 小杉纯一 ,  杨映保

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/84

Abstract: 本实用新型涉及激光退火装置。激光退火装置具备：光源，其射出连续振荡的激光；以及光学头，其将从光源射出的各个激光加工成为收敛的激光束，激光束能够对应地投影到位于栅极线的上方的改质预定区域内，光学头在激光束中最收敛的点部位于改质预定区域的非晶硅膜的膜内部的状态下，在改质预定区域内沿着栅极线延伸的方向相对性地扫描激光束。

公开(公告)号：CN207918950U

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201820303084.X

申请日：2018-03-05

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 清水秀教

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/48 ,  G02F1/13 ,  H01L27/32 ,  H01L51/00

Abstract: 一种基板修补装置，能够省略工作部侧罐的更换作业，且易于进行用于修补用基板的修补处理的处理用气体的供给。工作部(3)具备：小型气体罐(5)，储存处理用气体并向激光CVD处理部(4)供给处理用气体；以及工作部侧接头(6)，能够向小型气体罐(5)导入原料气体，在不干扰工作部(3)的位置设有大容量高压气体罐(7)以及通过供给用管道(8)连接于大容量高压气体罐(7)的供给用罐侧接头(9)，工作部侧接头(6)能够与供给用罐侧接头(9)结合以及解除结合。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利