一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法

    公开(公告)号:CN118994577A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411119365.6

    申请日:2024-08-15

    Abstract: 本发明公开一种低温固化功率半导体封装用聚酰胺酸及其制备方法,由中间为聚乙二醇链的二醚二酐、含柔性间隔基团的芳香族二胺及双(3‑氨丙基)封端的聚二甲基硅氧烷(平均分子量≤3000g/mol)在极性非质子溶剂中共聚而成。制备过程为在高纯度惰性气体氛围下,将芳香族二胺和封端剂溶于极性非质子溶剂中,0‑5℃条件下分批加入二醚二酐进行共聚反应得到。本发明制备的聚酰胺酸极大地降低了其玻璃化转变温度,使其最高固化温度≤220℃,固化时间≤4h,亚胺化程度达到100%,与氮化铝基材的粘结强度≥15.0MPa,是普通聚酰亚胺产品的10倍以上,划格试验结果达到0级。

    一种含三氟及酰胺键的二胺类化合物及其制备方法

    公开(公告)号:CN118530140A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410596256.7

    申请日:2024-05-14

    Abstract: 本发明公开一种含三氟及酰胺键的二胺类化合物及其制备方法,以3,5‑二氨基三氟甲苯为起始原料与对硝基酰氯类化合物,或间硝基酰氯类化合物,或邻硝基酰氯类化合物进行反应,由于3,5‑二氨基三氟甲苯本来就为间位结构,可以阻止电子在分子链中的流转;在通过亲电取代反应合成带有酰胺基的二硝基类化合物,然后还原得到含有三氟甲基及酰胺基的二胺类化合物,相比于其他含三氟甲基的单体,在主链中引入酰胺键,在分子链间可以产生大量的氢键,用以提高聚酰亚胺整体结构的耐热性能,利用这种间位三氟甲基及酰胺键结构使得聚酰亚胺具有更新的结构和更好的性能。

    一种含三氟甲基的四联苯二胺单体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118084682A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410156785.5

    申请日:2024-02-02

    Abstract: 本发明公开了一种含三氟甲基的四联苯二胺单体及其制备方法和应用,含三氟甲基的四联苯二胺单体的结构式如式(1)所示,可作为原料用于制备聚酰亚胺材料,其制备方法包括以下步骤:(1)将原料溶于有机溶剂A中,加入碱性溶液和Aliquat 336,得到混合溶液;(2)向混合溶液中加入催化剂A,于保护性气氛下加热反应,经提纯处理得到中间产物;(3)向中间产物中加入有机溶剂B和催化剂B,于氢气气氛下加热反应并后处理。本发明所采用的原料均为易得的商业化产品,所采用的合成路线简单,产物纯度和产率高,室温下稳定,以本发明的二胺单体制得的聚酰亚胺材料具有优良的介电性能和较高的光学透明性、较好的热稳定性和机械性能。

    一种功率半导体封装用聚酰亚胺胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN116731663A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310831923.0

    申请日:2023-07-07

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体封装用聚酰亚胺胶,其是以含硅氧烷结构的芳香族二胺、含羰基的间位芳香族二胺和含醚键的芳香族二酐为单体无规共聚而成。其制备方法包括:在惰性气氛中,将含硅氧烷结构的芳香族二胺和含羰基的间位芳香族二胺溶于极性非质子溶剂中;然后加入含醚键的芳香族二酐进行共聚反应,得到聚酰胺酸树脂;再加入端氨基硅烷类化合物并搅拌反应,反应结束后得到功率半导体封装用聚酰亚胺胶。本发明的功率半导体封装用聚酰亚胺胶在300℃以下实现完全固化,与功率半导体器件的制成工序匹配性高,低温储存稳定性好,对酸性除油清洗剂、中性除油清洗剂、除蜡清洗剂等溶剂清洗剂具有很强的抵抗能力。

    螺旋芴双邻苯二甲腈单体、聚合物和制备方法

    公开(公告)号:CN116217537A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310157642.1

    申请日:2023-02-23

    Abstract: 本发明属于高分子材料技术领域,具体是涉及到一种螺旋芴双邻苯二甲腈单体、聚合物和制备方法,以螺[9H‑芴‑9,9'‑[9H]呫吨]‑3',6'‑二酚螺环双酚醚与4‑硝基邻苯二甲腈为原料制得螺旋芴双邻苯二甲腈单体,其熔点为142‑146℃,所得预聚体具有良好的溶解性和较低的熔融温度,本发明的螺旋芴双邻苯二甲腈单体的聚合物制备时,起始固化温度为220℃,加工温度窗口达74‑78℃,能够使预聚体的加热熔融温度远离固化起始温度的同时,保持良好的流动性,更有利于加工塑形和均匀加入碳纤维、玻璃纤维,并且所得聚合物机械性能与现有技术相当。

    一种功率半导体封装用聚酰胺酸涂覆胶的制备方法

    公开(公告)号:CN115216264A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210987718.9

    申请日:2022-08-17

    Abstract: 一种功率半导体封装用聚酰胺酸涂覆胶及其制备方法,原料包括含硅氧烷链段的芳香族二胺、含酰胺键的芳香族二胺、脂肪环二酐和底材湿润剂,所述含硅氧烷链段的芳香族二胺与所述含酰胺键的芳香族二胺的摩尔比为1.00:(10.00~20.00);所述含硅氧烷链段的芳香族二胺和含酰胺键的芳香族二胺的摩尔质量之和与所述脂肪环二酐的摩尔比为1.00:(0.98~1.00)。本发明的功率半导体封装用聚酰胺酸涂覆胶,主要由含硅氧烷链段的芳香族二胺、含酰胺键的芳香族二胺和脂肪环二酐共聚而成,芳香族二胺确保聚酰胺酸热亚胺化后得到的保护层具有较好的机械强度、耐热性能和电绝缘性能。

    一种含笼状磷酸酯结构的聚酰亚胺及其制备方法

    公开(公告)号:CN109627439B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201811331995.4

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种含笼状磷酸酯结构的聚酰亚胺及其制备方法,聚酰亚胺具有如下的通式:其中,A为衍生自二酐类化合物的结构单元;B1为衍生自二胺类化合物的结构单元;B2为衍生自含笼状磷酸酯结构的二胺的结构单元,所述含笼状磷酸酯结构的二胺具有如下结构中的一种或任意种的组合:其中R基团为笼状磷酸酯结构,其结构如下:本发明的聚酰亚胺薄膜具有显著提高的AO及等离子氧的耐受性能,更好的耐紫外UV及真空紫外(vuv)辐射,在紫外(UV)照射下不会产生颜色变化,优异的耐火性,在空气中热分解有很高的残碳率。

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