公开(公告)号：CN107452640B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201710339605.7

申请日：2017-05-15

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： P·莫尔 ,  M·施密特 ,  C·哈蒂格 ,  M·鲁姆 ,  S·蒂尔巴赫 ,  S·龙根 ,  D·费希尔 ,  A·许林 ,  G·于贝赖特尔

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及用于使用FEOL虚拟填充层的晶粒内重叠控制的方法，揭示用于晶粒内重叠标线片测量的方法及所得装置。具体实施例包括：在一衬底上的一第一层中提供平行的多个结构；确定在该第一层上面的一第二层中没有主动集成电路元件的多个测量部位；形成在该多个测量部位中且平行于该多个结构和暴露该多个结构的区段的多个重叠沟槽，其中各重叠沟槽在一结构上方及在该结构与毗邻结构之间的间隙上方对齐；确定一重叠沟槽的一沟槽重心；确定在该重叠沟槽中暴露的一结构的一结构重心；以及基于该沟槽重心与该结构重心之间的差额，确定一重叠参数。

公开(公告)号：CN107452640A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710339605.7

申请日：2017-05-15

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： P·莫尔 ,  M·施密特 ,  C·哈蒂格 ,  M·鲁姆 ,  S·蒂尔巴赫 ,  S·龙根 ,  D·费希尔 ,  A·许林 ,  G·于贝赖特尔

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及用于使用FEOL虚拟填充层的晶粒内重叠控制的方法，揭示用于晶粒内重叠标线片测量的方法及所得装置。具体实施例包括：在一衬底上的一第一层中提供平行的多个结构；确定在该第一层上面的一第二层中没有主动集成电路元件的多个测量部位；形成在该多个测量部位中且平行于该多个结构和暴露该多个结构的区段的多个重叠沟槽，其中各重叠沟槽在一结构上方及在该结构与毗邻结构之间的间隙上方对齐；确定一重叠沟槽的一沟槽重心；确定在该重叠沟槽中暴露的一结构的一结构重心；以及基于该沟槽重心与该结构重心之间的差额，确定一重叠参数。