公开(公告)号：CN107508593B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201710447184.X

申请日：2017-06-14

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M·奥托 ,  N·尚

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明涉及具有背栅极切换的半导体结构，其关于半导体结构，并且更尤指具有逻辑背栅极切换的电路及操作方法。此电路包括至少一个前栅极接触部及数字背栅极电位，用于至少一个装置的背面上的逻辑功能实作态样。该数字背栅极电位可在两个逻辑电平之间切换。

公开(公告)号：CN107508593A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710447184.X

申请日：2017-06-14

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M·奥托 ,  N·尚

IPC: H03K19/094 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/20

Abstract: 本发明涉及具有背栅极切换的半导体结构，其关于半导体结构，并且更尤指具有逻辑背栅极切换的电路及操作方法。此电路包括至少一个前栅极接触部及数字背栅极电位，用于至少一个装置的背面上的逻辑功能实作态样。该数字背栅极电位可在两个逻辑电平之间切换。